发明名称 HIGH VOLTAGE RESISTANT EDGE STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENTS
摘要
申请公布号 EP1029358(A1) 申请公布日期 2000.08.23
申请号 EP19980962198 申请日期 1998.11.02
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 DEBOY, GERALD;TIHANYI, JENOE;STRACK, HELMUT;GASSEL, HELMUT;STENGL, JENS-PEER;WEBER, HANS
分类号 H01L29/06;H01L29/417;H01L29/739;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/06 主分类号 H01L29/06
代理机构 代理人
主权项
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