发明名称 | 低功率基准电压电路 | ||
摘要 | 本发明的带隙基准电压电路产生的恒定电压不受电源电压和制作工艺变化的影响。其中,恒压源单元提供恒定电压,第一电流镜反射流过恒压源单元的第一电流,产生第二电流,第二电流镜受控于恒定电压,反射第二电流产生第三电流,并将其输出到输出节点。基准电压单元连到输出节点,基准电压提供给输出节点。基准电压单元包括至少一个PMOS晶体管和至少一个NMOS晶体管,彼此串联或并联。同时执行确定PMOS晶体管和NMOS晶体管门限电压的离子注入工艺。 | ||
申请公布号 | CN1264067A | 申请公布日期 | 2000.08.23 |
申请号 | CN99124773.6 | 申请日期 | 1999.12.09 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 安圣泰;全龙真 |
分类号 | G05F3/02;H01L29/94 | 主分类号 | G05F3/02 |
代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 马莹 |
主权项 | 1.一种基准电压电路,包括:恒压源单元,由于产生恒定电压;第一电流镜,用于反射流过所述恒压源单元的第一电流,以产生第二电流;第二电流镜,其受控于来自所述恒压源单元的所述恒定电压,用于反射所述第二电流,以产生第三电流;基准电压单元,用于响应于所述第三电流而产生基准电压;和输出节点,连接到所述基准电压单元,用于输出所述基准电压。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |