| 发明名称 | 用浅沟隔离工艺在绝缘体上硅晶片上集成衬底接触的方法 | ||
| 摘要 | 一种在包括绝缘体上硅区域的衬底中制作衬底接触的方法。浅隔离沟槽被制作在绝缘体上硅衬底中。填充此浅隔离沟槽。在衬底上淀积光刻胶。在衬底中制作穿过被填充的浅隔离沟槽、绝缘体上硅、和绝缘体上硅区域下方的硅衬底的接触沟槽。填充此接触沟槽,其中填充接触沟槽的材料形成对硅衬底的接触。 | ||
| 申请公布号 | CN1264160A | 申请公布日期 | 2000.08.23 |
| 申请号 | CN99126769.9 | 申请日期 | 1999.12.16 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 阿图尔·阿吉玫拉;埃芬迪·莱巴顿;沃纳·若施;多米尼克·J·施埃皮斯;格哈瓦姆·G·莎亥迪 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L27/12 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种在包括绝缘体上硅区域的衬底中制作衬底接触的方法，此方法包含下列步骤：在绝缘体上硅衬底中制作浅隔离沟槽；填充此浅隔离沟槽；在衬底上淀积光刻胶；在衬底中制作穿过被填充的浅隔离沟槽和绝缘体上硅衬底区域的至少延伸到绝缘体上硅区域下方的硅衬底顶部的接触沟槽；以及填充此接触沟槽，其中填充此接触沟槽的材料形成对硅衬底的接触。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||