| 发明名称 | 绝缘基体上的硅及其生产方法 | ||
| 摘要 | 将第一硅单晶体和第二硅单晶基体粘接在一起，并且所形成的第一硅单晶基体像ＳＯＩ层那样薄。绝缘膜覆埋在二个硅单基体之一的粘接表面的部分位置处，另外，在埋入绝缘膜的一侧的硅单晶基体粘接表面上形成多晶硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN1055789C | 申请公布日期 | 2000.08.23 |
| 申请号 | CN95108401.1 | 申请日期 | 1995.06.16 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 小林研也;滨嶋智宏;小此木坚祐 |
| 分类号 | H01L27/12;H01L21/84 | 主分类号 | H01L27/12 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张志醒;萧掬昌 |
| 主权项 | 1.一种绝缘基体上的硅，其中，第一硅单晶基体和第二硅单晶基体被粘接在一起，所说的第一硅单晶基体象SOI层一样薄，绝缘膜覆埋在任一硅单晶基体的粘接一侧的部分表面上，还有，在覆埋绝缘膜的硅单晶基体粘接一侧的表面上形成多晶硅层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||