| 发明名称 | 封装具有凸电极的半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 利用印刷掩模和刮板,在硅衬底上形成树脂密封膜。刮板端梢部分的侧面基本上为V形,通过将刮板的端梢部分推到相邻凸电极间的间隙中进行印刷。结果,密封膜形成为在相邻凸电极间凹下,从而有助于凸电极的摆动运动。由此可知,在硅衬底安装到电路基片上后进行的温度循环试验中,凸电极可以吸收硅衬底和电路基片间热膨胀系数差造成的应力。 | ||
| 申请公布号 | CN1264168A | 申请公布日期 | 2000.08.23 |
| 申请号 | CN00100754.8 | 申请日期 | 2000.02.03 |
| 申请人 | 卡西欧计算机株式会社 | 发明人 | 三原一郎;桑原治 |
| 分类号 | H01L21/60;H01L21/56 | 主分类号 | H01L21/60 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 韩宏 |
| 主权项 | 1.一种密封凸电极的方法，包括以下步骤：制备具有数个彼此隔离的凸电极的衬底；在衬底上安装具有每个对应于相邻凸点之间的区的至少一部分的开口部分的掩模；通过在掩模上移动刮板，在掩模上形成厚度小于每个凸电极的高度的密封膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||