半导体器件及其制造方法

摘要

公开了一种半导体器件。该半导体器件具有作为有源层区体的结晶硅薄。结晶硅膜有平行于衬底取向的针状或柱状晶体，并且晶体生方向为（１１１）轴。制备半导体器件的方法包括以下步骤，把催化剂元素添加到非晶硅膜中；在低温把含有催化剂元素的非晶硅膜加热使其成为结晶硅膜。

主权项

1.有一个在绝缘衬底上形成的薄膜晶体管的半导体器件，所述薄膜晶体管包括：在绝缘表面上形成并在氢气环境下退火的包括硅的结晶半导体膜，所述半导体膜的厚度为300-800埃，其中从包括Ni，Pd，Pt，Cu，Ag，Au，In，Sn，Pb，As和Sb的组中选出的一种或多种催化元素被用于半导体膜，以促进半导体膜结晶化，使之有X-光衍射模式，其中(111)面上的取向率是0.67或更高。