动态随机存取存储器

摘要

一种在半导体衬底内形成动态随机存取存储单元的方法。该单元在半导体衬底的有源区中具有通过填埋带或连接区导电性地连接到存储电容器上的晶体管。该方法包括在该半导体衬底中的槽的下部形成用于电容器的电极。该方法的应用包括形成导电性地连接电容器与晶体管用的填埋带和形成该单元的晶体管用的垂直栅沟道。

主权项

1.一种方法，其特征在于，包括：在半导体衬底中形成侧壁，该侧壁延伸到该衬底的表面之下；在该侧壁上形成牺牲材料；在该衬底的表面上形成覆盖材料，该牺牲材料的一部分穿过该覆盖材料而露出；以及有选择地除去该牺牲材料，同时留下该覆盖材料，以暴露配置在该半导体主体的表面之下的该半导体主体的区域。