发明名称 | 真空阀和真空开关装置 | ||
摘要 | 作为接点,采用{W-CuxSb-余量Cu}合金;作为该合金中的耐电弧成分,采用粒径为0.4~9μm并且含量为65~85%的W或WMo;作为辅助成分,采用粒径为0.02~20μm并且含量为0.09~1.4%的CuxSb,x=1.9~5.5,平均粒子间距为0.2~300μm。另外,作为导电成分,采用Cu、CuSb固溶体,在该CuSb固溶体中存在0.5%以下呈固溶状态的Sb。结果使得,在受到电弧作用时,能够减少由蒸发所引起的CuxSb的飞散,抑制在接点面上产生对再起弧的发生具有不利影响的明显的龟裂,减轻W粒子的飞散脱落,减少接点表面的熔化和飞散损伤,并能同时提高接点的再起弧抑制特性和接触电阻特性。 | ||
申请公布号 | CN1264142A | 申请公布日期 | 2000.08.23 |
申请号 | CN00101829.9 | 申请日期 | 2000.02.01 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 奥富功;草野贵史;大岛岩;本间三孝;山本敦史;西村隆宣 |
分类号 | H01H33/664;C23C14/00;C22C9/00 | 主分类号 | H01H33/664 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杨宏军 |
主权项 | 1.一种真空阀,在该真空阀中,通过在真空中进行接点的开合来实现电流的断路和接通,上述接点使用一种由:平均粒径为0.4~9μm并且其含量为65~85重量%的W、0.09~1.4重量%的CuxSb化合物、余量为Cu或CuSb合金共同构成的接点材料制成。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |