发明名称 | 利用激光熔化对晶片接合Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>y</SUB>In<SUB>z</SUB>N结构作厚度调整 | ||
摘要 | 利用晶片接合或金属焊接方法可以获得具有光学通路的光发射器件,例如,垂直谐振腔表面发射器件,检测器件,具有高质量的反射镜。光发射区插入包括电介质配置Bragg反射器(DBRs)的一个或两个反射器叠层。可以淀积或贴合电介质DBRs到光发射器件上。贴合Gap,GaAs,InP,或Si基底到一个电介质DBRs上。把电接点附加到光发射器件。 | ||
申请公布号 | CN1264199A | 申请公布日期 | 2000.08.23 |
申请号 | CN00101864.7 | 申请日期 | 2000.02.04 |
申请人 | 惠普公司 | 发明人 | C·C·科曼;小F·A·基希;R·S·科恩;M·R·克拉梅斯;P·S·马丁 |
分类号 | H01S5/00;H01L33/00 | 主分类号 | H01S5/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇;张志醒 |
主权项 | 1.一种制造AlxGayInzN结构的方法,其包括下列步骤:把基底贴合到第1镜面叠层上;在损耗生长衬底上制造AlxGayInzN结构;形成晶片接合界面;通过激光熔化除掉损耗生长衬底;淀积电接点到AlxGayInzN结构上。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |