发明名称 利用激光熔化对晶片接合Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>y</SUB>In<SUB>z</SUB>N结构作厚度调整
摘要 利用晶片接合或金属焊接方法可以获得具有光学通路的光发射器件,例如,垂直谐振腔表面发射器件,检测器件,具有高质量的反射镜。光发射区插入包括电介质配置Bragg反射器(DBRs)的一个或两个反射器叠层。可以淀积或贴合电介质DBRs到光发射器件上。贴合Gap,GaAs,InP,或Si基底到一个电介质DBRs上。把电接点附加到光发射器件。
申请公布号 CN1264199A 申请公布日期 2000.08.23
申请号 CN00101864.7 申请日期 2000.02.04
申请人 惠普公司 发明人 C·C·科曼;小F·A·基希;R·S·科恩;M·R·克拉梅斯;P·S·马丁
分类号 H01S5/00;H01L33/00 主分类号 H01S5/00
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 王勇;张志醒
主权项 1.一种制造AlxGayInzN结构的方法,其包括下列步骤:把基底贴合到第1镜面叠层上;在损耗生长衬底上制造AlxGayInzN结构;形成晶片接合界面;通过激光熔化除掉损耗生长衬底;淀积电接点到AlxGayInzN结构上。
地址 美国加利福尼亚州