发明名称 磷化铟表面清洁方法
摘要 一种磷化铟表面的清洁方法,包括:1、将磷化铟材料器件置入真空度为10<SUP>-5</SUP>Pa的真空室中;2、按一定的比率将氢气、氮气、氩气混合后通入淀积室(真空室);3、给磁场线圈通入一定的电流,在淀积室中形成875Guss左右的磁场;4、将一定功率、频率为13.56MHz的微波导入淀积室;5、在微波和磁场共同作用下,产生混合气体的等离子体,持续10—40分钟,清洁低温下的材料表面。清洗工艺的过程中,通过抽真空设备,一直保持淀积室有0.2—1.30Pa的低真空。
申请公布号 CN1264163A 申请公布日期 2000.08.23
申请号 CN99100810.3 申请日期 1999.02.14
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 谭满清;茅冬生
分类号 H01L21/306 主分类号 H01L21/306
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 汤保平
主权项 1、一种磷化铟表面的清洁方法,其特征在于:1)将磷化铟材料器件置入真空室中,然后,用抽真空设备将真空室的本底真空度抽至10-5Pa数量级及以上;2)按一定的比率将氢气、氮气、氩气混合后通入淀积室(真空室);3)给磁场线圈通入一定的电流,在淀积室中形成875Guss左右的磁场;4)将一定功率、频率为13.56MHz的微波导入淀积室;5)在微波和磁场共同作用下,产生混合气体的等离子体,持续10-40分钟,清洁低温下的材料表面;其中:清洗工艺的过程中,通过抽真空设备,一直保持淀积室有0.2-1.30Pa的低真空。
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