| 发明名称 | 异物除去法、膜形成方法、半导体器件及膜形成装置 | ||
| 摘要 | 将硅衬底11置入容器17内。向容器17内供入金属有机络合物和超临界状态的二氧化碳,在白金薄膜13上形成BST薄膜14,与此同时,除去形成BST薄膜14时所生成的含碳化合物。利用含碳化合物在超临界状态的二氧化碳中的熔解度很高,超临界状态的二氧化碳的粘度很低这一特性,可有效地除去BST薄膜14中的含碳化合物。利用超临界状态或亚临界状态的水等进行低温下的氧化、氮化等处理,还可以形成氧化膜、氮化膜等。 | ||
| 申请公布号 | CN1264159A | 申请公布日期 | 2000.08.23 |
| 申请号 | CN00100676.2 | 申请日期 | 2000.01.27 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 森田清之;大塚隆;上田路人 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/302;H01L21/31;H01L21/469 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种异物除去法，用以除去被处理物内部的异物，其特征在于：将用来熔解上述异物的流体保持在超临界状态或者亚临界状态下，让上述被处理物去接触上述流体，而将异物除去。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||