| 发明名称 |
Nitride as an etchback or cmp stop in interlayer dielectric planarization incorporating low dielectric constant spin-on polymer |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG74598(A1) |
申请公布日期 |
2000.08.22 |
| 申请号 |
SG19970003390 |
申请日期 |
1997.09.13 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD. |
发明人 |
CHOOI SIMON YEW-MENG;ZHENG JIA ZHEN |
| 分类号 |
H01L21/3105;H01L21/312;H01L21/314;H01L21/316;(IPC1-7):H01L |
主分类号 |
H01L21/3105 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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