| 主权项 |
/AIT{1.一种去除溢料装置,用于去除IC装置之模塑溢料,包含:}/ait{一雷射产生器用于产生一雷射光束,该雷射光束具有一积分通量与脉冲期间适用于该模塑溢料之雷射切除;}/ait{一光学系统用于传递该雷射光束;}/ait{一传送系统用于传送该等IC装置进入该雷射光束之路径。}/AIT{2.如申请专利范围第1项所述之装置,进一步包含扫描设施用于引导该光束至该IC装置之溢料上。}/AIT{3.如申请专利范围第2项所述之装置,其中该光学系统包含一聚焦透镜用于使该雷射光束聚焦。}/AIT{4.如申请专利范围第2项所述之装置,其中该光学系统包含望远设施用于改变该雷射光束之光束点大小。}/AIT{5.如申请专利范围第2项所述之装置,其中该光学系统进一步包含一控制器用于控制该雷射光束。}/AIT{6.如申请专利范围第2项所述之装置,其中该传送系统包含:}/ait{一平台用于托放IC装置;}/ait{定指标设施用于传送该等IC装置至该平台上,并在去除溢料被完成后取掉该等IC装置。}/AIT{7.如申请专利范围第2项所述之装置,其中该雷射光束具有波长小于550nm,积分通量小于1J/cm</sub>2</sub>C}/AIT{8.如申请专利范围第2项所述之装置,其中该扫描设施包含一电流计。}/AIT{9.如申请专利范围第2项所述之装置,其中该雷射产生器波长为532nm之Nd:YAG雷射光束并具有约500mJ之脉冲能量。}/AIT{10.如申请专利范围第2项所述之装置,其中该雷射光束产生一雷射光束,具有之光束点直径为8至10mm。}/AIT{11.如申请专利范围第2项所述之装置,进一步包含一光罩被提供于该雷射产生器与该IC装置间,用于保护该IC装置之模塑封包免于受到该雷射光束。}/AIT{12.如申请专利范围第2项所述之装置,进一步包含一光罩被提供于该雷射产生器与该IC装置间,用于保护该IC装置之模塑封包免于受到该雷射光束,该光罩具有至少一孔对应于该封包上之一热变换器,该雷射光束可透过其通过。}/AIT{13.如申请专利范围第2项所述之装置,进一步包含一视觉检查系统被提供来在雷射切除后之该IC装置的视觉检查。}/AIT{14.如申请专利范围第2项所述之装置,进一步包含一排放系统用于去掉被该模塑溢料材料之切除所产生的分解烟。}/AIT{15.如申请专利范围第2项所述之装置,进一步包含一排放系统与一空气至该装置上,该排放系统用于去掉被该模塑溢料材料之切除所产生之分解烟。}/AIT{16.一种用于去除IC装置上之模塑溢料的方法,包含:}/ait{运送一IC装置进入一雷射切除装置;}/ait{引导一雷射光束至该模塑溢料;}/ait{将该模塑溢料切除成分解后之电浆与其他物质种类。}/AIT{17.如申请专利范围第16项所述之方法,进一步包含在雷射切除步骤之前以一雷射阻断光罩盖住该IC装置之模塑封包。}/AIT{18.如申请专利范围第16项所述之方法,进一步包含在雷射切除步骤之前以一雷射阻断光罩盖住该IC装置之模塑封包且以该雷射光束扫描通过该模塑溢料使得该模塑溢料被分解成电浆与其他物质种类。}/AIT{19.如申请专利范围第16项所述之方法,进一步包含在该模塑溢料已被去除后之视觉检查步骤。}/AIT{20.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该IC装置为成条带形式,且该方法进一步包含在该IC装置之切除后将该条带相对于该光罩移位,使得该条带之另外的IC装置被保护,且雷射切除在该等另外的IC装置上被实施。}/AIT{21.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该等电浆与物质被吸力立刻地去除。}/AIT{22.如申请专利范围第1项所述之去除溢料装置,进一步包含:}/ait{托放设施用于将一条带的IC装置托放及定位于该射光束之路径位置内;}/ait{扫描设施用于引导该雷射光束至该IC装置之模塑溢料上;}/ait{一雷射不能透过之光罩被定位于该雷射产生器与该托放设施间,用于保护该等IC装置之模塑封包免于受到该雷射光束;}/ait{一定指标系统用于将该IC装置传送至该托放设施上,将该条带移位以便进行循序的IC装置之去除溢料,及在该条带上的所有IC装置之去除溢料已被完成后取掉该条带;以及}/ait{一吸力系统具有一吸力进口位于该托放设施附近用于去除该切除后之模塑溢料的烟。}/tt第一图为依据本发明之雷射去除溢料系统的示意图。第二图为依据本发明之另一雷射去除溢料系统的示意图。第三图为依据本发明显示在一雷射去除溢料装置内雷射光束之路径的示意图。第四图为显示一雷射去除溢料系统被采用来与负载卸载站配合作用之示意图。 |
