树脂密封型半导体装置之制造方法

摘要

使用密封薄片之树脂密封型半导体之密封步骤以往会出现的问题在于:因密封薄片本身之热收缩而产生细褶纹、或因构成外部电极之内部引线部侧面形成深沟之故，使得与保持内部引线部侧面之密封树脂之面积减少，而使内部引线之密接强度减弱。对密封模具12之下模具12b上，载置接合半导体元件2之引线框。接着将内部引线部l之底面侧之密封薄片6面向密封模具面压按，由密封树脂7进行树脂密封之情况中，藉由下模具12b内部所形成之真空吸引装置13，将密封薄片6真空吸引维持于均一延伸的状态，而可防止因树脂密封时之热收缩造成之密封薄片6之细褶纹的产生。藉此使得树脂成形之半导体装置里面之树脂部可平坦形成。

主权项

/AIT{1.一种树脂密封型半导体装置之制造方法,其特征在于:}/ait{其系为对接合半导体元件之引线框,于密封模具内介置密封薄片而以树脂密封者,在将前述密封薄片密接于引线框进行树脂密封时,系于使密封薄片延展之状能下以树脂密封者。}/AIT{2.一种树脂密封型半导体装置之制造方法,其特征在于系为对接合半导体元件之引线框,于密封模具内介置密封薄片而以树脂密封之树脂密封型半导体装置之制造方法,在将前述密封薄片密接于引线框进行树脂密封时,藉由在前述密封模具内隔略均等间隔设置之复数真空吸引装置吸着前述密封薄片,在使前述密封薄片均一地延展之状态下以树脂密封者。}/AIT{3.如申请专利范围第2项之树脂密封型半导体装置之制造方法,其中在将密封薄片密接于引线框进行树脂密封时,藉由在密封模具内隔略均等间隔设置之真空吸引装置所进行之密封薄片之吸着,系于4处进行真空吸着者。}/AIT{4.一种树脂密封型半导体装置之制造方法,其特征在于:}/ait{系为对接合半导体元件之引线框,于密封模具内介置密封薄片而以树脂密封之树脂密封型半导体装置之制造方法,在将前述密封薄片密接于引线框进行树脂密封时,于使密封薄片之与引线框之内部引线部碰接之部分,驱至设于密封模具之凹部之状态下,进行树脂密封者。}/AIT{5.一种树脂密封型半导体装置之制造方法,其特征在于:}/ait{系为对接合半导体元件之引线框,于密封模具内介置密封薄片而以树脂密封之树脂密封型半导体装置之制造方法,在将前述密封薄片密接于引线框进行树脂密封时,于密封模具中,使用与引线框之内部引线部所密接之密封树脂所碰接之部分上形成凹部之密封模具,于树脂密封时,在使密封薄片与前述内部引线部碰接之部分驱至前述凹部侧之状态下,进行树脂密封者。}/AIT{6.一种树脂密封型半导体装置之制造方法,其特征在于:}/ait{系为对接合半导体元件之引线框,于密封模具内分置密封薄片而以树脂密封之树脂密封型半导体装置之制造方法,在将前述密封薄片密接于引线框进行树脂密封时,藉由在前述密封模具内隔略均等间隔设置之复数真空吸引装置吸着前述密封薄片,将前述密封薄片形成为均一延展之状态,进而于密封模具中,使用与引线框之内部引线部密接之密封薄片所碰接之部分形成凹部之密封模具,于树脂密封时,在使密封薄片之与前述内部引线部碰接之部分之多余的密封薄片部分驱至前述凹部例之状态下,进行树脂密封者。}/AIT{7.一种树脂密封型半导体装置之制造方法,其特征在于包含:}/ait{准备步骤:准备密封模具、半导体晶片及周边构件;}/ait{装着步骤:一面将密封树脂密接于前述周边构件表面之一部分、一面装着于前述密封模具:及}/ait{密封步骤:一面对前述密封薄片施予张力,一面在已装着前述密封薄片之状态下,将前述半导体晶片或前述周边构件之至少除去前述表面之一部分外的部分,在密封树脂内予以密封者。}/AIT{8.如申请专利范围第7项所记载之树脂密封型半导体装置之制造方法,其中于前述密封步骤时,系藉由在前述密封模具中膈略均等间隔设置之复数之真空吸引装置吸着前述密封薄片者。}/AIT{9.如申请专利范围第8项所说之树脂密封型半导体装置之制造方法,其中于前述真空吸引装置系于4处吸着前述密封薄片者。}/AIT{10.一种树脂密封型半导体装置之制造方法,其特征在于包含:}/ait{准备步骤:准备密封模具、半导体晶片及周边构件;}/ait{装着步骤:一面将密封树脂密接于前述周边构件表面之一部分、一面装着于前述密封模具;及}/ait{密封步骤:在已装着前述密封薄片之状态下,将半导体晶片或前述周边构件之至少除去前述表面之一部分外之部分,在密封树脂内予以密封;}/ait{前述密封系使前述密封薄片与前述周边构件之内部引线部分拉接之部分,一面驱至前述密封模具之凹部,一面失效者。}/AIT{11.如申请专利范围第10项所记之树脂密封型半导体装置之制造方法,其中前述密封模具之凹部系在前述密封薄片与前述周边构件之前述内部引线部分密接之区域中,形成于前述密封模具与前述密封薄片碰接之位置者。}/AIT{12.如申请专利范围第10或11项所记载之树脂密封型半导体装置之制造方法,其中于前述密封步骤时,一面对前述密封薄片施予张力,一面予以密封者。}/AIT{13.如申请专利范围第12项所记载之树脂密封型半导体装置之造方法,其中于前述密封步骤时,系藉由设于前述密封模具之复数之真空吸引装置吸着前述密封薄片者。}/tt第一图系为本发明之一实施形态之树脂密封半导体装置之制造方法表示图(a)为树脂密封型半导体装置之制造方法所使用之密封周模具(下模具)之平面图(b)为表示树脂密封之状态之密封周模具之断面图。第二图本发明之一实施形态之树脂密封型半导体装置之制造方法表示图。第三图习知之树脂密封型半导体装置之制造方法表示断面图。第四图习知之树脂密封型半导体装置之制造方法表示断面图。第五图习知之树脂密封型半导体装置之制造方法表示断面图。第六图习知之树脂密封型半导体装置之制造方法表示断面图。第七图习知之树脂密封型半导体装置之制造方法表示断面图。第八图习知之树脂密封型半导体装置之制造方法表示断面图。第九图习知之树脂密封型半导体装置之制造方法所用之密封模具表示断面图。