| 主权项 |
/AIT{1.一种形成光阻图案之方法,其包括以下步骤:}/ait{使用具有既定图案之光罩曝光一化学放大之光阻膜;}/ait{在该化学放大光阻膜曝光之前或之后,在该化学放大光阻膜表面上形成由具有熔点不高于10℃且沸点不低于50℃之石蜡所制成之保护膜;及}/ait{藉由显影在该化学放大光阻膜上形成该既定图案。}/AIT{2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该石蜡具有重量平均分子量为60至200。}/AIT{3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该石蜡为一种由通式C<sub>n</sub><sub>{2n+2</sub>,所表示之化合物或其混合物,其中n为介于5至14间之整数。}/AIT{4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该石蜡系选自包括正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷、正十一烷、正十二烷、正十三烷、正十四烷、异戊烷、2-甲基戊烷、3-甲基戊烷、2,3-二甲基丁烷、2-甲基己烷、3-甲基己烷、3-乙基戊烷、3,3-二甲基戊烷、2,3-二甲基戊烷、2,4-二甲基戊烷、3,3-二甲基戊烷、2,2,3-三乙基丁烷、2-甲基庚烷、3-甲基庚烷、2,2-二甲基已烷、2,3-二甲基己烷、2,5-二甲基己烷、3,4-二甲基己烷、2,2,3-三甲基戊烷、2,2,4-三甲基戊烷、2,3,3-三甲基戊烷、2,3,4-三甲基戊烷、2-甲基辛烷、2-甲基壬烷,或其混合物。}/AIT{5.根据申请专利范围第1项之方法,其中该保护膜系于该化学放大光阻膜曝光后形成。}/AIT{6.根据申请专利范围第1项之方法,其中该保护膜具有厚度为0.01至1.5微米。}/tt第一图(a)与第一图(b)为用以说明本发明形成光阻图案方法具体实例之剖面示意图;第二图(a)与第二图(b)为用以解释习用技术问题之剖面示意图;第三图(a)至第三图(e)为说明习用技术形成光阻图案方法之剖面示意图。 |
