去除残余物的方法

摘要

本发明利用四甲基氢氧化胺(TMAH)光阻显影液，来去除金属层蚀刻后，于金属层表面残留之光阻残余物。藉由控制于晶片表面所形成之去离子水液膜的厚度，以及显影液加入的量来控制显影液稀释后的浓度，其中去离子水液膜的厚度可以藉由控制晶片的旋转速度来控制，然后再用水进行冲洗，以完成残余物的剥除。应用本发明除了可以有效避免硫的残留，还可以使打线制程容易进行，并可以简化制程和有效降低的成本。

主权项

/AIT{1.一种去除残余物的方法,包括:}/ait{提供一晶片,该晶片已完成一金属层之定义,该金属层之表面存在有一残余物;以及}/ait{利用一显影液清洗该晶片,用以去除该金属层表面之该残余物。}/AIT{2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该残余物包括光阻的残余物。}/AIT{3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该显影液的成分包括四甲基氢氧化胺。}/AIT{4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该显影液系已经过稀释。}/AIT{5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中利用一显影液清洗该晶片,用以去除该金属层表面之该残余物后,更包括利用水进行清洗。}/AIT{6.一种去除残余物的方法,包括:}/ait{提供一晶片,该晶片已完成一金属层之定义,该金属层之表面存在有一残余物;}/ait{于该晶片表面形成一水膜;以及}/ait{将一显影液与该晶片之该水膜均匀混合,用以去除该金属层表面之该残余物。}/AIT{7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该残余物包括光阻的残余物。}/AIT{8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该显影液的成分包括四甲基氢氧化胺。}/AIT{9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该显影液的浓度约为2.38%(v/v)。}/AIT{10.如申请专利范围第6项所述之方法,其中将该显影液与该晶片之该水膜均匀混合,用以去除该金属层表面之该残余物后,更包括利用水进行清洗。}/tt第一图系显示一种习知利用溶剂槽浸泡的方式,进行清洗光阻残余物的步骤;第二图系显示一种利用习知清洗方法,清洗完晶片后的原子放射光谱;第三图系显示根据本发明较佳实施例之一种利用显影剂去除光阻残余物的方法;以及第四图系显示一种利用本发明之清洗方法,清洗完晶片后的原子放射光谱。