| 主权项 |
/AIT{1.一种自动对准接触窗开口的制造方法,应用于一基底,在该基底上至少有二相邻闸极,每一该些闸极之上分别有一氮化矽层,此方法包括:}/ait{形成复数个氮化矽间隙壁于该些闸极和该些氮化矽层的侧壁旁;}/ait{形成复数个氧化矽间隙壁于该些氮化矽间隙壁的表面上;}/ait{以该些氮化矽层和该些氧化矽间隙壁为罩幕,于该些闸极两侧之该基底中形成复数个源极/汲极;}/ait{形成一氧化矽层覆盖在该基底的最上方;以及}/ait{去除部分该氧化矽层以及该些氧化矽间隙壁,形成一接触窗开口,以暴露出该些源极/汲极。}/AIT{2.如申请专利范围第1项所述之自动对准接触窗开口的制造方法,其中在形成复数个氮化矽间隙壁的步骤之前,更包括以该些氮化矽层为罩幕于该些闸极两侧的该基底中形成复数个淡掺杂汲极。}/AIT{3.如申请专利范围第1项所述之自动对准接触窗开口的制造方法,其中该些氮化矽间隙壁的宽度足以为去除部分该氧化矽层以及该些氧化矽间隙壁的去除终点。}/AIT{4.如申请专利范围第1项所述之自动对准接触窗开口的制造方法,其中该些氮化矽间隙壁和该些氧化矽间隙壁的宽度之和,足以防止相邻的源极/汲极之间的击穿效应。}/AIT{5.如申请专利范围第1项所述之自动对准接触窗开口的制造方法,其中去除部分该氧化矽层以及该些氧化矽间隙壁的方法包括非等向性去除法。}/AIT{6.如申请专利范围第1项所述之自动对准接触窗开口的制造方法,其中去除部分该氧化矽层以及该些氧化矽间隙壁的方法为能选择性地去除氧化矽,而氮化矽不易被去除之去除方法。}/AIT{7.一种自动对准接触窗开口的制造方法,应用于一基底,在该基底上至少有二相邻闸极,每一该些闸极之上分别有一保护层,此方法包括:}/ait{形成复数个第一间隙壁于该些闸极和该些保护层的侧壁旁;}/ait{形成复数个第二间隙壁于该些第一间隙壁的表面上;}/ait{形成一绝缘层覆盖在该基底的最上方;以及}/ait{去除部分该绝缘层以及该些第二间隙壁,形成一接触窗开口,以暴露出该些相邻第一间隙壁之间的部分该基底。}/AIT{8.如申请专利范围第7项所述之自动对准接触窗开口的制造方法,其中该保护层的材质包括氮化矽。}/AIT{9.如申请专利范围第7项所述之自动对准接触窗开口的制造方法,其中在形成复数个第一间隙壁的步骤之前,更包括以该些保护层为罩幕于该些闸极两侧的该基底中形成复数个淡掺杂汲极。}/AIT{10.如申请专利范围第7项所述之自动对准接触窗开口的制造方法,其中该些第一间隙壁的材质包括氮化矽。}/AIT{11.如申请专利范围第7项所述之自动对准接触窗开口的制造方法,其中该些第二间隙壁的材质包括氧化矽。}/AIT{12.如申请专利范围第7项所述之自动对准接触窗开口的制造方法,其中该些第一间隙壁的宽度足以为去除部分该绝缘层以及该些第二间隙壁的去除终点。}/AIT{13.如申请专利范围第7项所述之自动对准接触窗开口的制造方法,其中在形成该些第二间隙壁之后,更包括以该些保护层和该些第二间隙壁为罩幕,于该些闸极两侧之该基底中形成复数个源极/汲极。}/AIT{14.如申请专利范围第13项所述之自动对准接触窗开口的制造方法,其中该些第一间隙壁和该些第二间隙壁的宽度之和,足以防止相邻的源极/汲极之间的击穿效应。}/AIT{15.如申请专利范围第7项所述之自动对准接触窗开口的制造方法,其中去除部分该绝缘层以及该些第二间隙壁的方法包括非等向性去除法。}/AIT{16.如申请专利范围第7项所述之自动对准接触窗开口的制造方法,其中该绝缘层的材质包括氧化矽。}/AIT{17.如申请专利范围第7项所述之自动对准接触窗开口的制造方法,其中该绝缘层以及该些第二间隙壁的材质较佳为相同的。}/AIT{18.如申请专利范围第7项所述之自动对准接触窗开口的制造方法,其中该些保护层以及该些第一间隙壁的材质较佳为相同的。}/AIT{19.如申请专利范围第7项所述之自动对准接触窗开口的制造方法,其中该绝缘层以及该些第二间隙壁的材质和该些保护层以及该些第一间隙壁的材质具有很好的去除选择比。}/AIT{20.如申请专利范围第13项所述之自动对准接触窗开口的制造方法,其中该接触窗开口暴露出该些源极/汲极。}/tt第一图是习知的自动对准接触窗开口的结构剖面图;第二图是习知的自动对准接触窗开口的结构剖面图;以及第三图A--第三图C为依据本发明较佳实施例之一种自动对准接触窗开口的制造流程结构剖面图。 |
