| 主权项 |
/AIT{1.一种铜金属化制程之氮化钼扩散屏蔽层制造方法,包括:}/ait{(a)在一基底上已形成一金氧半元件,并且在该基底表面上形成一绝缘层,该绝缘层中具有一接触窗口;}/ait{(b)利用一双二乙基胺基-双特丁基亚胺基钼为先驱物,以低压化学气相沈积法形成一氮化钼薄膜于该绝缘层之表面上,且经由该接触窗口与该金氧半元件相连接;}/ait{(c)在该氮化钼薄膜表面形成一铜金属层;以及}/ait{(d)定义该氮化钼薄膜与该铜金属层,形成一导电图案。}/AIT{2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(b)中该双二乙基胺基-双特丁基亚胺基钼以介于40-50℃之间的温度蒸发,并于约20mTorr的压力下进行化学气相沈积。}/tt第一图A-第一图D其绘示依照本发明一较佳实施例,一种铜金属化制程之氮化钼扩散屏蔽制造剖面流程图;第二图是本发明一较佳实施例中所使用之先驱物之化学结构式;第三图是依照本发明一较佳实施例形成之氮化钼薄膜,其沈积速率、电阻系数与沈积时基底温度之关系图;第四图A-第四图B是依照本发明一较佳实施例形成之氮化钼薄膜,其分别在550℃与600℃温度下,退火30分钟后漏电流之强度;以及第五图A-第五图B是依照本发明一较佳实施例形成之氮化钼薄膜,其分别在550℃与600℃温度下,退火30分钟后所测的之二次离子质谱曲线图。 |
