| 主权项 |
1.一种在半导体基材上形成平面分离之方法,包括下列步骤:提供基材;在基材上放置光罩;及经由该光罩将氧离子注入基材中。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中放置光罩之步骤包括下列步骤:a)在该基材上形成介电层;b)在该介电层上形成光罩层;c)在该光罩层上绘图以曝露出部份该介电层;及d)移除该介电层所曝露出之该部份。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中放置光罩之步骤进一步包括下列步骤:e)在第一个该介电层之其余部份上形成第二个介电层;f)在该第二个介电层上形成光罩层;g)对该光罩层绘图以曝露出部份该第二个介电层;及h)移除该介电层所曝露出之该部份。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中于移除步骤(h)中,将部份之该第一个介电层曝露。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中第一个介电层为氧化物层及第二个介电层为氮化物层。6.根据申请专利范围第3项之方法,其中于移除步骤(h)中,在第一次移除步骤(d)中曝露之该基材部份仍被该第二个介电层覆盖。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中第一及第二个介电层为相同介电材料层。8.根据申请专利范围第7项之方法,其中第一及第二个介电层为氧化物层。9.根据申请专利范围第3项之方法,其中放置光罩之步骤进一步包括下列步骤:j)重复步骤(e)至(h)直到至少一个设置之光罩成型物之经放置光罩厚度超过注入步骤中注入之氧离子通过之范围。10.根据申请专利范围第1项之方法,其中放置光罩之步骤包括下列步骤:a)在该基材上形成成层之介电层;及b)选择性移除部份之该成层介电层各层。11.根据申请专利范围第10项之方法,其中该成层介电层为氧化物及氮化物交替层。12.根据申请专利范围第11项之方法,其中选择性移除部份之步骤(b)包括下列步骤:a)在该成层介电层上形成光罩;b)移除第一氧化物层及第一氮化物层之曝露部份;c)移除该光罩;及d)重复步骤(a)至(c)直至部份之该基材曝露出来。13.根据申请专利范围第1项之方法,其中该放置之光罩之光罩成型物侧壁对该基材之角度介于30至60之间。14.根据申请专利范围第1项之方法,又包括在该放置之光罩上形成氧化物层,使得光罩侧壁对该基材之角度介于30至60之间。15.根据申请专利范围第1项之方法,其中氧离子系在对该基材之角度介于30至60间注入。16.一种在具根据申请专利范围第1项中形成之平面分离之半导体基材中形成包埋电阻器之方法,又包括:在该平面分离下方之选择区域选择性注入掺杂物。17.一种调节氧注入物深度之方法,包括:提供基材;放置具有预选择变化厚度之区域之光罩,包含选择与源自氧注入物通过之所需氧注入物深度有关之光罩区域厚度;及经由该光罩区域将氧离子注入基材中。18.根据申请专利范围第17项之方法,其中放置光罩之步骤包括下列步骤:a)在该基材上形成成层之介电层,该成层介电层厚度为该所需氧注入物深度;及b)选择性移除部份之该成层介电层各层。19.根据申请专利范围第18项之方法,其中该成层介电层为氧化物及氮化物交替层。20.根据申请专利范围第19项之方法,其中选择性移除部份之步骤(b)包括下列步骤:a)在该成层介电层上形成光罩;b)移除第一氧化物层及第一氮化物层之曝露部份;c)移除该光罩;及d)重复步骤(a)至(c)直至曝露出部份该基材。21.根据申请专利范围第17项之方法,其中放置光罩之步骤包括下列步骤:a)在该基材上形成介电层;b)在该介电层上形成光罩层;c)对该光罩层上绘图以曝露部份之该介电层;d)移除该介电层之曝露出之该部份;e)重复步骤(a)至(d)直至至少一个放置之光罩成型物之放置之光罩厚度超过注入步骤中注入之氧离子经过之范围。22.根据申请专利范围第21项之方法,其中在重复该移除步骤(d)中,部份之第一个该介电层曝露出来。23.根据申请专利范围第22项之方法,其中在形成介电层之步骤(a)中淀积氮化物及氧化物之交替层。24.根据申请专利范围第21项之方法,其中在重复移除步骤(d)中,第一该介电层仍有部份被部份之该第二介电层覆盖。25.根据申请专利范围第24项之方法,其中在形成介电层之步骤(a)中淀积氧化物层。26.根据申请专利范围第17项之方法,其中该设置之光罩之光罩成型物侧壁相对该基材之角度介于30至60之间。27.根据申请专利范围第26项之方法,其中相对该基材之角度为45。28.根据申请专利范围第17项之方法,又包括在该放置光罩上形成氧化物层,使得该光罩侧壁相对该基材之角度介于30至60间。29.根据申请专利范围第28项之方法,其中相对该基材之角度为45。30.根据申请专利范围第17项之方法,其中氧离子系在相对该基材之角度约30至60之间注入。31.根据申请专利范围第30项之方法,其中相对该基材之角度为45。 |
