| 主权项 |
/AIT{1.一种用于制作金属连线的方法,其步骤如下,包括:}/ait{提供一具有一开口之一介电层;}/ait{形成一阻障层,覆盖于该介电层上方;}/ait{形成一种子层,覆盖于阻障层上方;以及}/ait{形成一金属层,覆盖于该种子层并填满该开口。}/AIT{2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该种子层之步骤系包括以化学反应方式进行。}/AIT{3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该化学反应方式系包括无电电镀。}/AIT{4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该金属层之步骤系包含以电镀方式进行。}/AIT{5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该金属层之材质系包括铜。}/AIT{6.一种用于制作金属连线的方法,其步骤如下,包括:}/ait{提供一具有一开口之一介电层;}/ait{形成一阻障层,覆盖于该介电层上方;}/ait{形成一银层,覆盖于该阻障层上方;以及}/AIT{7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中形成该银层之步骤系包括以化学反应方式进行。}/AIT{8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该化学反应方式系包括无电电镀。}/AIT{9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中形成该金属层之步骤系包含以电镀方式进行。}/AIT{10.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该金属层之材质系包括铜。}/AIT{11.一种在半导体晶片上以无电电镀制作银层的方法,其步骤如下,包括:}/ait{提供一晶片;}/ait{将该晶片浸于一电镀溶液中,其中,该电镀溶液的组成为}/ait{重量百分浓度介于10%-50%之间之硝酸银,}/ait{重量百分浓度介于10%-50%之间之氢氧化纳,}/ait{重量百分浓度介于10%-50%之间之氨水,}/ait{重量百分浓度介于10%-50%之间之甲醛。}/AIT{12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中进行无电电镀时,温度包括介于40℃-10℃之间。}/tt第一图A至第一图D其绘示乃习知一种的制作金属连线的流程剖面图;以及第二图A至第二图D绘示为依照本发明一较佳实施例的一种金属连线的制程流程剖面图。 |
