| 主权项 |
/AIT{1.一种半导体装置,包含:}/ait{一片状元件,其包括一半导体电路,且其上设有复数个连接垫;}/ait{复数个引线端子,各引线端子系以一细长的导电板制成,且配置于该片状元件之外侧上;}/ait{一散热板,其形状为其中心区高于其两末端区,且该片状元件系装设在该散热板之该中心区的一下表面上;}/ait{复数条焊线,用以个别地连接该复数个引线端子与该片状元件之该复数个连接垫;及}/ait{一树脂构件,用以封装该片状元件、该等焊线和该等引线端子之内区,并封装该散热板使该散热板之该中心区的一上表面可暴露在该树脂构件之外。}/AIT{2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该散热板之两末端区接触该树脂构件之两末端区的下表面。}/AIT{3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该等焊线连接设于该片状元件之一下表面上的该等连接垫与该等引线端子之该等内区的下表面。}/AIT{4.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中该等焊线连接设于该片状元件之一下表面上的该等连接垫与该等引线端子之该等内区的下表面。}/AIT{5.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中该等引线端子之形状为其外区与该树脂构件之下表面齐平,且其内区高于外区。}/AIT{6.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中该等引线端子之形状为其外区与该树脂构件之下表面齐平,且其内区高于外区。}/AIT{7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中一散热器设在与该树脂构件接触的该散热板之该中心区的上表面上。}/AIT{8.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中一散热器设在与该树脂构件接触的该散热板之该中心区的上表面上。}/AIT{9.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中一散热器设在与该树脂构件接触的该散热板之该中心区的上表面上。}/AIT{10.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中一散热器设在与该树脂构件接触的该散热板之该中心区的上表面上。}/AIT{11.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中一散热器设在与该树脂构件接触的该散热板之该中心区的上表面上。}/AIT{12.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中一散热器设在与该树脂构件接触的该散热板之该中心区的上表面上。}/AIT{13.一种半导体装置之制造方法,包含以下步骤:}/ait{制作一引线框架,其中一中心区高于两末端区之散热板与复数个内区高于外区之引线端子系透过支撑元件而整体相互连接;}/ait{将一包括一半导体电路且其上设有复数个连接垫之片状元件装设在引线框架之散热板的一区之一下表面上,该片状元件之配置方式使得连接垫位于下方;}/ait{将装设于该引线框架上的片状元件之复数个连接垫与该复数个引线端子之内区的下表面以复数条焊线个别连接起来;}/ait{至少将该片状元件及焊线放入至少一对可相互移动之金属模的一模穴中,而使引线框架的散热板之两末端区及引线端子之外区被该等金属模固定在其之间,且散热板之中心区的一上表面与该等金属模之一内表面接触;}/ait{将熔融的树脂填入该等金属模之模穴中;}/ait{将填入的树脂留在该等金属模之模穴中,直到树脂固化形成一树脂构件,其中至少部分散热板、片状元件、焊线及引线端子之内区被封装在该树脂构件内,且引线端子之外区露出于该树脂构件外;及}/ait{切断该引线框架之支撑元件,藉以将散热板与复数个引线端子个别地分开。}/tt第一图a系一平面图,表示一半导体装置之一外观;第一图b系一侧视图,表示半导体装置的另一外观;第一图c系一前视图,表示半导体装置的又一外观;第二图表示其上装设一散热器之半导体装置的侧视图;第三图a表示一引线框架之主要部份的平面图;第三图b表示引线框架之主要部份的侧视图;第四图a表示其上装设一片状元件之引线框架的平面图;第四图b表示其上装设片状元件之引线框架的侧视图;第五图a表示透过焊线连接至片状元件的引线端子之平面图;第五图b表示透过焊线连接至片状元件的引线端子之侧视图;第五图c系沿着第五图a之线段A-A的直立剖面前视图;第六图a表示处于模制状态之树脂构件的平面图;以及第六图b表示处于模制状态之树脂构件的侧视图。 |
