| 主权项 |
/AIT{1.一种抛光一半导体基材方法中之抛光液之搅拌与混合时机、位置之改良,包含以下步骤:}/ait{将半导体基材放置于一化学机械抛光机内;及}/ait{利用一抛光流体抛光半导体基材,其中抛光步骤包含一供给抛光流体至半导体基材之步骤,其包含以下步骤:}/ait{令一第一流体流过一具有一出口之第一进给管线;}/ait{令一第二流体流过一具有一出口之第二进给管线;}/ait{在该化学机械抛光机中之一搅拌段内混合第一、二流体而形成抛光流体,其中:}/ait{搅拌段具有一入口及一出口;及}/ait{该第一及第二进给管线之出口系连接至搅拌段之入口;}/ait{该第一及第二流体初始即在搅拌段内互相接触;及}/ait{令抛光流体流过搅拌段之出口,以提供抛光流体至半导体基材。}/AIT{2.一种抛光一半导体基材方法中之抛光液之搅拌与混合时机、位置之改良,包含以下步骤:}/ait{将半导体基材放置于一化学机械抛光机内;及}/ait{利用一抛光流体抛光半导体基材,其中抛光步骤包含一供给抛光流体至半导体基材之步骤,其包含以下步骤:}/ait{令一第一流体流过一具有一出口之第一进给管线;}/ait{令一第二流体流过一具有一出口之第二进给管线;}/ait{在该化学机械抛光机中之歧管内混合第一、二流体而形成抛光流体,其中:}/ait{搅拌段具有一入口及一出口;及}/ait{第一及第二进给管线之出口系连接至搅拌段之入口;}/ait{第一及第二流体初始即在歧管内互相接触;}/ait{令抛光流体流过搅拌段之出口,以提供抛光流体至半导体基材。}/AIT{3.一种抛光一半导体基材方法中之抛光液之搅拌与混合时机、位置之改良,包含以下步骤:}/ait{将半导体基材放置于一化学机械抛光机内;及}/ait{利用一抛光流体抛光半导体基材,其中抛光步骤包含一供给抛光流体至半导体基材之步骤,其包含以下步骤:}/ait{令一第一流体流过一第一进给管线;}/ait{令一第二流体流过一第二进给管线;}/ait{自第一及第二进给管线混合第一及第二流体而形成一混合流体于化学机械抛光机中;}/ait{在化学机械抛光机中之一搅拌器内搅拌该混合流体以形成抛光流体,其中此一步骤系与前述之混合步骤分别实施;}/ait{令抛光流体流过搅拌器之出口,以提供抛光流体至半导体基材。}/AIT{4.一种抛光一半导体基材方法中之抛光液之搅拌与混合时机、位置之改良,包含以下步骤:}/ait{将半导体基材放置于一化学机械抛光机内;及}/ait{利用一抛光流体抛光半导体基材,其中抛光步骤包含一供给抛光流体至半导体基材之步骤,其包含以下步骤:}/ait{令一第一流体流过一具有一出口之第一进给管线;}/ait{令一第二流体流过一具有一出口之第二进给管线;}/ait{在该化学机械抛光机中之一搅拌段内混合第一、二流体而形成抛光流体,其中:}/ait{搅拌段具有、一入口及一出口;及}/ait{该第一及第二进给管线之出口系连接至搅拌段之入口;及}/ait{离开搅拌器后,令抛光流体流经一管路而至半导体基材上。}/AIT{5.一种抛光一半导体基材方法中之抛光液之搅拌与混合时机、位置之改良,包含以下步骤:}/ait{将半导体基材置于一化学机械抛光机内,及利用一抛光流体抛光半导体基材,其包含以下步骤:}/ait{令一第一流体流经一第一进给管线;}/ait{令一第二流体流经一第二进给管线;}/ait{于一第一搅拌器中搅拌第一及第二流体以形成一流出物;}/ait{令该流出物自该第一搅拌器流出;}/ait{令一第三流体流经一第三进给管线;}/ait{于一第二搅拌器中搅拌流出物及第三流体,以形成该抛光流体;及}/ait{令该抛光流体流出第二搅拌器以提供抛光流体至半导体基材上。}/AIT{6.一种抛光一半导体基材方法中之抛光液之搅拌与混合时机、位置之改良,包含以下步骤:}/ait{将半导体基材置于一化学机械抛光机内;及利用一抛光流体抛光半导体基材,其包含以下步骤:}/ait{令一第一流体流经一第一进给管线而进入一漏斗之一开口端,其中该开口端系曝露于一含氧气体中;}/ait{令一第二流体流经一第二进给管线而进入该漏斗之开口端;}/ait{于该漏斗内搅拌第一及第二流体,以形成抛光液;及}/ait{令抛光液流出漏斗以提供抛光液至半导体基材上。}/tt第一图包含本发明一实例之化学机械抛光机示意图;第二图包含一线上搅拌器之截面图说明;第三图包含第二图之板件立体图说明,揭示流体如何流过板件;第四图包含另一变换实例之线上搅拌器截面图说明;及第五图包含另一变换实例之示意图,其中包含一将成份混合成抛光流体之漏斗。 |
