| 主权项 |
/AIT{1.一种使用于半导体制程机器上之排气装置, 该机器具有一机壳、一反应室、一载入 机构、一载出机构,且该载入机构及该载出机构各 具有一开口通至该机壳之内部,该排气装 置至少包含:} /ait{一主体部份,其具有一内部通道以导出气体;} /ait{一第一端,连接于该主体部份及该载入机构之 开口之间,使得气体由该载入机构流入 该主体部份内,且不会流至该机壳内之其他部位;} /ait{一第二端,连接于该主体部份及该载出机构之 开口之间,使得气体由该载出机构流入 该主体部份内,且不会流至该机壳内之其他部位; 及} /ait{一第三端,连接于该主体部份及该机壳之一开 口之间,使得气体由该主体部份之内部 通道流至该机壳上之开口而被排出该机壳外,该第 三端更用以使该机壳内之气体流至该机壳 上之开口,上述从该载入机构流出之气体系和该机 壳内部为隔离的,且从该载出机构流出之 气体系和该机壳内部为隔离的。} /AIT{2.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之装 置系用以导出氮气体。} /AIT{3.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之装 置系用以导出HBr气体。} /AIT{4.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之装 置系用以导出氯及HBr气体。} /AIT{5.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之主 体部份、该第一端及该第二端系以一第 一管来制造,该第一管具有一第一开口、第二开口 及第三开口,该第一管之第一开口系接于 该载入机构之开口,且该第一管之第二开口系接于 该载出机构之开口。} /AIT{6.如申请专利范围第5项之装置,其中上述之第 三端至少包含一具有一第四开口及一第 五开口之第二管,从该机壳之内部延伸至该机壳之 开口,该第二管之第四开口系连接至该第 一管之第三开口且该第二管之第五开口系放置于 该机壳外。} /AIT{7.如申请专利范围第6项之装置,其中上述第二 管之外径足够让气体流过该第二管至该 机壳之开口。} /AIT{8.如申请专利范围第6项之装置,其中上述之第 一管及该第二管至少包含polyvinyl cloride。} /AIT{9.如申请专利范围第6项之装置,其中上述之第 一管及该第二管至少包含 polypropylene。} /AIT{10.如申请专利范围第1项之装置,其中上述装置 之第一端至少包含一第一L型接头,该 第一L型接头具有:} /ait{一第一开口,连接至该载入机构之开口;及} /ait{一第二开口,位于该第一L型接头上与该第一开 口相对之一端。} /AIT{11.如申请专利范围第10项之装置,其中上述装 置之第二端至少包含一第二L型接头, 该第二L型接头具有:} /ait{一第三开口,连接至该载出机构之开口;及} /ait{一第四开口,位于该第二L型接头上与该第三开 口相对之一端。} /AIT{12.如申请专利范围第11项之装置,其中上述之 主体部份至少包含:} /ait{一具有第五开口及第六开口之管;} /ait{一第一T型接头,该第一T型接头具有:} /ait{一第七开口,连接至该第一L型接头之第二开口 ;} /ait{一第八开口,连接至该第二L型接头之第四开口 ;} /ait{一第九开口,连接至该第一管之其中一开口。} /AIT{13.如申请专利范围第12项之装置,其中上述装 置之第三端至少包含:} /ait{一第三L型接头,该第三L型接头具有一位于该 机壳内部之一第十一开口及一第十二开口;及} /ait{一第二T型接头,该第二T型接头具有:} /ait{一第十三开口,连至该第一管之另一开口;} /ait{一第十四开口,连至该机壳之开口;及} /ait{一第十五开口,达至该第三L型接头之第十一开 口。} /AIT{14.如申请专利范围第12项之装置,其中上述之 第一管至少包含热塑材质。} /AIT{15.如申请专利范围第14项之装置,其中上述之 热塑材质至少包含polyvinyl chloride 。} /AIT{16.如申请专利范围第14项之装置,其中上述之 热塑材质至少包含polypropylene。} /tt 第一图显示传统半导体制程机器之排气装置。 第二图显示本发明其中一个实施例之排气装置。 第三图显示晶片送出及退出之方块图。 第四图显示本发明另外一个实施例之排气装置。 |
