发明名称 钴金属团块,其制法及其用途
摘要 本发明系关于由花生形之一级粒子所组成之钴金属团块,其制法及其用途。
申请公布号 TW402640 申请公布日期 2000.08.21
申请号 TW085105111 申请日期 1996.04.30
申请人 史塔克有限公司 发明人 葛亚斯;麦乔利;那迪克;欧阿米;史法兰
分类号 C22B23/00;H01M4/02 主分类号 C22B23/00
代理机构 代理人 蔡中曾 台北巿敦化南路一段二四五号八楼
主权项 /AIT{1.一种钴金属团块,其系由花生形之一级粒子 所组成,其特征在于该一级粒子具有平 均粒子大小在0.1至0.7微米之范围内且该团块具有 平均团块直径为3至50微米之球形二级结 构及具有2至6平方米/克范围内之比表面积。} /AIT{2.根据申请专利范围第1项之钴金属团块,其特 征在于该团块直径为5至20微米。} /AIT{3.一种制造根据申请专利范围第1项之钴金属 团块之方法,其特征在于通式C<sub>0</sub><sub>2</sub> br> 钴盐,其中X</sub>-</sub>聃l</sub>-</sub>BNO<sub>3</sub>^-</ sub>峞/sub>1</sub><sub>2</sub>O<sub>4</sub>^{2-</sub>,在40 与100℃之 间,连续与硷金属及/或氨之碳酸盐及/或氢碳酸盐 之水溶液或悬浮液反应,以形成硷性碳 酸钴,将其分离及洗涤直到不含中性盐为止,然后 与硷液及/或氨液反应,在温度介 于300与800℃之间下使用氧化剂氧化以产生三价非 均质物C<sub>0</sub>(OH),及将其使用还原剂还原以 产生钴金属团块。} /AIT{4.根据申请专利范围第3项之方法,其特征在于 通式C<sub>0</sub><sub>2</sub>完W盐,其 中X</sub>-</sub>聃l</sub>-</sub>BNO<sub>3</sub>^-</sub>峞 /sub>1</sub><sub>2</sub>O<sub>4</sub>^{2-</sub>,在60与90℃之 温度下连续与硷金属 及/或氨之碳酸盐及/或氢碳酸盐之水溶液或悬浮 液反应,以形成硷性碳酸钴。} /AIT{5.根据申请专利范围第3项之方法,其特征在于 较佳系使用H<sub>2</sub><sub>2</sub>@为氧化剂。} /AIT{6.根据申请专利范围第3.4或5项其中一项之方 法,其特征在于与气态还原剂之反应, 系在350至650℃之温度下进行。} /tt 第一图说明制自实例3之本发明钴金属粉末团块之 经烧结物件之硬度値,其呈烧结温度 之函数,与制自市购可得之超微细与特别微细钴金 属粉末之经烧结物件比较。 第二图说明制自实例3之本发明钴金属粉末团块之 经烧结物件之密度,其呈烧结温度之 函数,与制自市购可得之超微细与特别微细钴金属 粉末之经烧结物件比较。 第三图显示根据实例3制得之本发明钴金属粉末团 块5000及15000倍放大之扫描式电子显 微照片。
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