| 主权项 |
/AIT{1.一种避免化学机械研磨法刮伤与凹陷的半导 体制程,适用在一基底上,该基底具有 复数个元件结构,而该些元件结构上具有一硬材料 层;该制程包括:} /ait{在该些元件结构上形成一介电材料,填入该些 元件结构间;} /ait{以该硬材料层作为一终止层,以化学机械研磨 法研磨该介电材料,暴露出该硬材料层 ;以及} /ait{在该介电材料上形成一具有热流性质的绝缘 材料,藉以提供一平坦的表面。} /AIT{2.如申请专利范围第1项所述之避免化学机械 研磨法刮伤与凹陷的半导体制程,其中该 具有热流性质的绝缘材料厚度约为2000-5000埃左右 。} /AIT{3.如申请专利范围第1项所述之避免化学机械 研磨法刮伤与凹陷的半导体制程,其中该 介电材料包括硼磷矽玻璃。} /AIT{4.如申请专利范围第1项所述之避免化学机械 研磨法刮伤与凹陷的半导体制程,其中该 具有热流性质的绝缘材料包括硼磷矽玻璃。} /AIT{5.如申请专利范围第4项所述之避免化学机械 研磨法刮伤与凹陷的半导体制程,其中该 硼磷矽玻璃之硼含量约为4-7%左右。} /AIT{6.如申请专利范围第4项所述之避免化学机械 研磨法刮伤与凹陷的半导体制程,其中该 硼磷矽玻璃之磷含量约为1-4%左右。} /AIT{7.如申请专利范围第1项所述之避免化学机械 研磨法刮伤与凹陷的半导体制程,其中在 介电缘材料上形成一具有热流性质的绝缘材料更 包括对该具有热流性质的绝缘材料进行一热 流制程。} /AIT{8.如申请专利范围第7项所述之避免化学机械 研磨法刮伤与凹陷的半导体制程,其中该 热流制程之温度约为800- 950℃。} /AIT{9.申请专利范围第7项所述之避免化学机械研 磨法刮伤与凹陷的半导体制程,其中该热 流制程之时间约为10-45分钟左右。} /AIT{10.一种半导体制程,适用在一基底上,该基底具 有复数个闸极结构,其中该些闸极以 复数个间隙隔开;该制程包括:} /ait{在该些闸极结构侧边与上方形成一盖层;} /ait{在该些闸极结构上形成一介电材料,填入该些 间隙,并延伸至该闸极结构上;} /ait{以该些闸极结构上方之该盖层作为一终止层, 以化学机械研磨法研磨该介电材料,暴 露出该些闸极结构上方之该盖层;以及} /ait{在该介电材料上形成一硼磷矽玻璃层,藉以提 供一平坦的表面。} /AIT{11.如中请专利范围第10项所述之半导体制程, 其中该硼磷矽玻璃层厚度约 为2000-5000埃左右。} /AIT{12.如申请专利范围第10项所述之半导体制程, 其中该硼磷矽玻璃屑之硼含量约 为4-7%左右。} /AIT{13.如申请专利范围第10项所述之半导体制程, 其中该硼磷矽玻璃层之磷含量约 为1-4%左右。} /AIT{14.如申请专利范围第10项所述之半导体制程, 其中在该介电材料上形成一硼磷矽玻璃 层更包括对该硼磷矽玻璃层进行一热流制程。} /AIT{15.如中请专利范围第14项所述之半导体制程, 其中该热流制程之温度约为800-950℃。} /AIT{16.如申请专利范围第14项所述之半导体制程, 其中该热流制程之时间约为10-45分钟 左右。} /AIT{17.如申请专利范围第10项所述之半导体制程, 其中该介电材料包括硼磷矽玻璃。} /AIT{18.一种半导体制程,适用在一基底上,该基底具 有复数个元件结构,而该些元件结构 上具有一硬材料层;该制程包括:} /ait{在该些元件结构上形成一介电材料,填入该些 元件结构间;} /ait{以该硬材料层作为一终止层,以化学机械研磨 法研磨该介电材料,暴露出该硬材料层 ;} /ait{在该介电材料上形成一具有热流性质的绝缘 材料;以及对该绝缘材料进行一热流制程 ,以提供一平坦的表面。} /AIT{19.如申请专利范围第18项所述之半导体制程, 其中该介电材料包括硼磷矽玻璃。} /AIT{20.如申请专利范围第18项所述之半导体制程, 其中该绝缘材料包括硼磷矽玻璃。} /AIT{21.如中请专利范围第18项所述之半导体制程, 其中该热流制程之温度约为800-950℃。} /AIT{22.如申请专利范围第18项所述之半导体制程, 其中该热流制程之时间约为10-45分钟 左右。} /tt 第一图A--第一图D系显示根据本发明较佳实施例之 半导体制程之制造流程剖面图。 |
