| 发明名称 |
Gate-gesteuerte Diode und Verfahren zur Herstellung derselben |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69328985(D1) |
申请公布日期 |
2000.08.17 |
| 申请号 |
DE1993628985 |
申请日期 |
1993.03.01 |
| 申请人 |
MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
TERASHIMA, TOMOHIDE |
| 分类号 |
H01L29/744;H01L21/329;H01L29/739;H01L29/74;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/72;H01L21/33 |
主分类号 |
H01L29/744 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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