CIRCUIT FOR GALVANICALLY INSULATED CONTROL OF A LOAD CONTROLLED POWER SWITCH

摘要

Bei einer Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines ladungsgesteuerten Leistungsschalters (LT) über einen Übertrager (Ü) wird in den Eingang des Übertragers ein Spannungssignal, welches aus Impulsen von kurzer Dauer (T1p und T1n) in positiver und negativer Richtung besteht, eingegeben. Zwei auf der Sekundärseite des Übertragers (Ü) eingesetzte Feldeffekttransistoren (F1 und F2) wandeln die Impulse (T1p, T1n) in Impulse mit positiver und negativer Richtung (T3p, T3n), deren Impulsdauer bis zum Beginn des nächsten Eingangsimpulses mit umgekehrter Spannungsrichtung (T1n, T1p) verlängert werden, um, die den Leistungsschalter (LT) sicher ansteueren. In den Feldeffekttransistoren (F1 und F2) ist zwischen dem Source-Anschluss (S) und dem Drain-Anschluss (D) je eine Diode (D1 und D2) vorhanden. Vor die Gate-Anschlüsse der Feldeffekttransistoren (F1 und F2) ist jeweils eine Serienschaltung aus einem Widerstand und einer Zenerdiode geschaltet.