| 发明名称 |
Method of manufacturing a transistor having elevated source and drain regions |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB0015780(D0) |
申请公布日期 |
2000.08.16 |
| 申请号 |
GB20000015780 |
申请日期 |
2000.06.28 |
| 申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/205;H01L21/311;H01L21/336;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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