| 摘要 |
表现本发明之离子源(12)是用于离子注入器(10)上。该离子源包括具有传导室侧壁(130a,130b,130c,130d,130e,132)之气体拘束室(76)，其中侧壁环绕气体游离区域(R)。气体拘束室具有排出开孔(78)以允许离子排出该气体拘束室。基底(8O,82,120)放置气体拘束室相对于结构(90,14)用于由排出气体拘束室形成离子束。 |
| 主权项 |
1.一种使用在离子注入器(10)之离子源(12),其该离子源包括:a)气体拘束室76真气室侧壁(130a,130b、130c、130d、130e、132)所包围之内部游离区域R而且包括出口开孔78以允许离子排出气体拘束室,其中一侧壁(130e)包括由该气室侧壁延伸之突缘(202);b)气体传送系统(122,123,126,128,144)用于传送可离子化气体进入气体拘束室;c)用于支撑气体拘束室的基底(80,82,120)其相对于结构(90,14)的位置由排出气体拘束室的该离子用于形成离子束(20);d)阴极(124)相对于该气体拘束室之游离化区域放置以排放游离电子进入气体拘束室之游离区域以便游离气体分子;及e)绝缘体(150)具第一大致平坦平面(200),其连接至用于支撑阴极之气体拘束室侧壁的突缘及以电气绝缘阴极与气体拘束室;f)该阴极包括传导阴极体(160,162,164)其包围内部区域及具延伸进入气体拘束室内部之外表面并且在用于加热该阴极体传导体内部为绝缘体所支撑的阴极灯丝(178)并且因此导致该游离电子由该体发射进入气体拘束室。2.如申请专利范围第1项所述之离子源,其中该绝缘体由陶瓷绝缘材料所构成。3.如申请专利范围第1项所述之离子源,其中该绝缘体包括具用于支撑阴极本体的第一大致平面地阴极平面(210)之支撑体而且间隔关于阴极体用于支撑该灯丝的第二大致平面地灯丝支撑平面(212),当介于该灯丝与该阴极体维持与电绝缘。4.如申请专利范围第3项所述之离子源,其包括第一及第二架设臂(170,171)占用绝缘块之灯丝支撑表面。5.如申请专利范围第3项所述之离子源,其中该阴极连接至大致平面的架设平板(152)其占用该绝缘块之第一大致平面的支撑表面。6.如申请专利范围第3项所述之离子源,其中该绝缘体限定凹口(N1,N2,N3)由绝缘体接触面延伸以防止在离子源运转中所发射的材料包覆该接触表面。7.如申请专利范围第3项所述之离子源,其中该突缘有固定插销(203)由该突缘向外延伸而且其中该绝缘本体限定用于占用固定插销的校准开孔(226)。8.一种与离子注入器(10)使用之离子产生源(12),其该离子产生源包括:a)气体拘束室(76)具包围气体游离区域(R)之传导室侧壁(130a,130b,130c,130d,130e,132)而且包括排出开孔(78)以允许离子排出气体拘束室;b)用于定位气体拘束室的基底(80,82,120)相对于结构(90,124)其位置由排出气体拘束室的该离子用于形成离子束(20);c)气体传送系统(122,123,126,128,144)与该气体拘束室连接用来传送可游离材料进入气体拘束室;d)阴极(124)用于发射游离电子进入由气体拘束室所限定之气体游离区域,该阴极包括管状传导体(160,162)其部分地延伸进入该气体拘束室而且包括面对用于发射该游离电子进入气体拘束室之传导盖(164);e)一电子绝缘器(150)连接至该气体拘束室用来支撑阴极之该管状传导体,与该气体拘束室之传导室侧壁被分隔;及f)灯丝(178)在该阴极的管状传导体内为绝缘器支撑,其该阴极用于加热该传导盖及致使该游离电子由该传导盖发射进入该气体拘束室;该绝缘器包括限定用于支撑阴极体之平面阴极支撑区域(212)的绝缘体及与用于支撑灯丝之该平面阴极支撑分隔的平面灯丝支撑区域(212),当介于该灯丝与该阴极本体维持电力绝缘。9.如申请专利范围第8项所述之离子产生源,其中气体拘束室包括在一侧壁(130d)之开孔(158)用于将管状传导体插入气体拘束室而且其中该电绝缘体支撑与该室之侧墙间隔的管状导体。10.一种与离子结构(12)使用之改着阴极结构,其结构用于产生离子束(20)包括:一种相对气体拘束室(76)放置之阴极(124)以发射游离电子进入气体拘束室之气体游离区(R),该阴极包括管状导体(160,162)及管状传导体支撑之传导盖(164)用于发射该游离电子进入气体拘束室;灯丝(178)在用于加热该传导盖之阴极管状传导体内部被支撑而且引起该游离电子由传导盖发射至气体拘束室;及电绝缘体(150)连接至用于相对气体拘束室放置该阴极之气体拘束室并且用于支撑互相间隔之该阴极及该灯丝并且相对气体拘束室之传导室侧壁;包括绝缘块之该电绝缘体具有支撑阴极体之第一平面的阴极表面(210)及与用于支撑与阴极体间隔之该灯丝的第一平面阴极表面间隔之第二大致平面灯丝支撑表面(212),当维持介于灯丝与阴极体间之电绝缘。图式简单说明:第一图系用于这类架设在旋转支撑的矽晶圆工件的离子束加工的离子注入器略图;第二图系在第一图之注入器中,表现用于制造离子束的本发明离子产生源之部分剖面图;第三图系显示用于激发遮蔽灯丝连接的离子产生源之平面图,该灯丝形成部分的阴极;第四图系显示离子经由圆弧缝隙排出的离子产生源之侧视图。第五图系用于架设离子源阴极的结构之放大平面图;第六图系由第五图之6-6线所得之图;第七图系由第五图之7-7线所得之图;第八图系与本发明一致的离子源之爆炸立体图;第九图系用于以电气将离子源阴极与离子电浆室分离的绝缘块之顶视图;第十图系由第九图之10-10线所得之图;第十一图系显示于第九图的绝缘块之仰视图;第十二图系显示于第九图的绝缘块之部分剖面图;第十三图系在离子源运作期间发射离子化电子进入电弧室内部的阴极盖之侧视图;第十四图系离子源电弧室之前视图;第十五图系由第十四图之15-15线所得电弧室之图;第十六图系由第十五图之16-16线所得电弧室之图;第十七图系由第十四图之17-17线所得电弧室之图;第十八图系由第十四图之18-18线所得电弧室之图;第十九图系用于架设定位于电弧室内阴极体的架设板之平面图;及第二十图系由第十九图之20-20线观察所得架设板之图; |
