| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含(a)一具有多个接合垫片在其上的晶片;(b)多个彼此相邻的线,各该线之一端与该接合垫片之一耦合且从该接合垫片延伸出来;以及(c)置于各该线上且固定至各该线之单一块硬化黏着剂以使得该线彼此分开。2.如申请专利范围第1项之装置,更包含多个导引指部,各该线耦合另一端至该导引指部之一。3.如申请专利范围第1项之装置,更包含第二之多个相邻线,各该第二之多个相邻线之一端耦合该接合垫片之一且从该垫片延伸出来,及第二单一块硬化黏着剂,位在该第二之多个相邻线上且固定在该第二之多个相邻线上,以使该第二之多个相邻线彼此分开。4.如申请专利范围第2项之装置,更包含第二之多个相邻线,各该第二之多个相邻线之一端耦合该接合垫片之一且从该垫片延伸出来,及第二单一块硬化黏着剂,位在该第二之多个相邻线上且固定在该第二之多个相邻线上,以使该第二之多个相邻线分开。5.如申请专利范围第1项之装置,其中该黏着剂可流动可硬化,且具有可流动状态的黏滞性,足以使黏着剂静置在线上直到硬化。6.如申请专利范围第2项之装置,其中该黏着剂可流动可硬化,且具有可流动状态的黏滞性,足以使黏着剂静置在线上直到硬化。7.如申请专利范围第3项之装置,其中该黏着剂可流动可硬化,且具有可流动状态的黏滞性,足以使黏着剂静置在线上直到硬化。8.如申请专利范围第4项之装置,其中该黏着剂可流动可硬化,且具有可流动状态的黏滞性,足以使黏着剂静置在线上直到硬化。9.如申请专利范围第1项之装置,更包含该黏着剂之一部份置于在该晶片之表面上之该线的下方。10.如申请专利范围第2项之装置,更包含该黏着剂之一部份置于在该晶片之表面上之该线的下方。11.如申请专利范围第5项之装置,更包含该黏着剂之一部份置放在该晶片之表面上之该线的下方。12.如申请专利范围第8项之装置,更包含该黏着剂之一部份置于在该晶片之表面上之该线的下方。13.一种制造半导体装置之方法,包含步骤如下:(a)提供一其上具有多个接合垫片之晶片,及多个彼此相邻接之线,各该相邻线之一端耦合该接合垫片之一,且从其延伸出来;以及(b)形成单一块硬化黏着剂,其位在该线之至少一相邻对中的各线上,且固定于其上,以使得该线彼此分开。14.如申请专利范围第13项之方法,更包含将各该线之另一端附在一导引指部的步骤。15.如申请专利范围第13项之方法,更包含下列步骤:提供第二之多个彼此相邻之线,各该第二之多个相邻线之一端耦合该接合垫片,且从其中延伸出来,且提供第二单一块硬化黏着剂,位于各该第二之多个线上,且固定于其上,以使得该第二之多个线彼此分开。16.如申请专利范围第14项之方法,更包含下列步骤:提供第二之多个相邻线,各该第二之多个相邻线之一端耦合该接合垫片,且从其中延伸出来,且提供第二单一块硬化黏着剂,其位在各该第二之多个相邻线上,且固定于其上,以使得该第二之多个相邻线分开。17.一种制造半导体装置之方法,包含下列步骤:(a)提供具有多个接合垫片在其上的晶片,多个相邻线,各该线之一端耦合该接合垫片之一,且从其中延伸出来,及多个导引指部,该线的另一端耦合该导引指部之一;(b)放置单一块可硬化可流动之黏着剂,具有可流动状态的黏滞性,足以使黏着剂静置在线上直到硬化;以及(c)硬化该黏着剂。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该黏着剂为环氧树脂。19.如申请专利范围第17项之方法,更包含步骤如下:允许在步骤(b)中的某些该黏着剂置于该晶片表面上及该线的下方,且在该晶片的该表面上硬化该黏着剂。20.如申请专利范围第18项之方法,更包含步骤如下:允许在步骤(b)中的某些该黏着剂置于该晶片表面上及该线的下方,且在该晶片的该表面上硬化该黏着剂。图式简单说明:第一图为标准习知技术中晶粒垫片及导引指部的侧视图,且一线连接于其间;第二图为标准习知技术中晶粒垫片及导引指部的侧视图,且一线连接于其间,该线之最高点支撑习知技术中的回路环;第三图为一半导体晶片的顶视图,该线从晶粒垫片延伸出来,且含本发明之黏着剂的一环;第四图为沿着第三图之线4-4的视图;以及第五图为第三图之线之一部份和其接合环之放大视图。 |
