| 主权项 |
1.一种用以形成半导体元件氧化物的装置,其包含有:控制装置,用以根据从操作员终端机输入之一预定厚度及在前一氧化制程中生长成之一氧化物薄膜之测得厚度,计算生长预定厚度之一氧化物薄膜所需之时间,并且输出生长该氧化物薄膜之该所需时间;氧化物薄膜生长装置,用以接受从该控制装置输出之该所需时间,且在该所需时间内生长出一氧化物薄膜;以及氧化薄物膜厚度测量装置,用以测置在该氧化物薄膜生长装置内生长成的该氧化物薄膜之厚度,且输入该测得厚度到该控制装置。2.一种用以形成半导体元件氧化物薄膜的方法,其包含下列步骤:a)输入所要形成的一个氧化物薄膜之一预定厚度到控制装置内,且以该控制装置计算生长与该预定厚度相当的一个氧化物薄膜所需之时间;b)输入该时间至氧化物薄膜生长装置,然后以该时间生长出一个氧化物薄膜;c)在氧化物薄模厚度测量装置内测量该生长成的氧化物薄膜之厚度,然后输入该测得厚度至该控制装置;d)比较该预定厚度与该测得厚度,且在该控制装置内计算生长与该预定厚度和该测量厚度间差値相当之一个氧化物薄膜所需的时间;以及e)输入在该步骤d)中计算出之生长氧化物薄膜所需之该时间至该氧化物薄膜生长装置内,然重覆从步骤b)起之该等步骤,直到该预定厚度相等于该测得厚度为止。3.如申请专利范围第2项之用以形成半导体元件氧化物薄膜的方法,其中,生长该氧化物薄膜的该时间t能表示为t=(t1'R)+[t2'(1-R)],而其中其中t是下次生长氧化物薄膜所需的时间,t1是目前这批次的生长持续时间,t2是上一批次的生长持续时间,TOXavg,1及TOXavg,2是分别在t1及t2期间生长的氧化物之平均厚度,T是预定厚度,而G1及G2分别是在t1及2期间之氧化物生长速率。4.如申请专利范围第3项之用以形成半导体元件氧化物薄膜的方法,其中,当该生长成的氧化物薄膜之该等测得厚度资料之一最大値与一最小値间之差値,大于由一操作员决定之一差距値S时,该差距値即被用来代替TOXavg,1及TOXavg,2'而其中S=T的X%。图式简单说明:第一图系为绘示用以形成传统半导体元件中之一个氧化物薄膜之一方法的流程图;第二图系依据本发明用以形成半导体元件之一个氧化物薄膜之一装置的方块图;以及第三图系为绘示用以使用第二图的该装置形成一半导体元件之一个氧化物薄膜之一方法的流程图。 |
