| 主权项 |
1.一种湿蚀刻制程用端点检测之方法,其中包括:于单面湿蚀刻设备中提供其上有待蚀刻薄膜的基片,且此设备上配备了用以(装设)基片的支架将待蚀刻薄膜的表面上醱盖以具可变厚度的蚀刻剂溶液;为入射光束选取同调长度,使此同调长度大得足以使自液体层与固体薄膜顶部之间界面反射的射束和自固体薄膜底部与基片之间界面反射的射束出现干涉现象,并令此同调长度够短以致不会让从液体层顶部表面反射的射束和自液体层与固体薄膜顶部之间界面反射的射束出现干涉现象;提供具有所选出同调长度的光束并将之引导到基片表面之上;监控由薄膜上的光束所产生的正弦式干涉信号,直到其极大値能维持不变为止,并标示出蚀刻端点。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该基片于蚀刻期间会旋转的。3.如申请专利范围第1项之方法,其中所选出的该同调长度是利用波带通过滤镜而得到的。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该固体薄膜的厚度是大约1微米。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该液体层的厚度是至少大约100微米。6.如申请专利范围第1项之方法,其中实现了对反射光束的截取及其锁住放大。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该截光程序是与基片的转动速率同步。8.如申请专利范围第1项之方法,其中是将具有预选同调长度的许多光束引导到基片表面上。9.如申请专利范围第8项之方法,其中实现了对反射光束的截取及其锁住放大。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该截光程序是与基片的转动速率同步。11.如申请专利范围第1至10项中任一项之方法,其中系将基片浸渍于湿蚀刻溶液中。图式简单说明:第一图系显示了入射的光束及反射光束之基片上薄膜的横截面图。第二图系受到干涉修正的反射光束之强度对时间的曲线图,亦即所谓的干涉信号。第三图强度时间的图示,某显示端点以及干涉信号之两最大値之间的时间与蚀刻率之相关性。第四图其上具有液体蚀刻剂层之待监控的装设基片的部分简略横截面图示。第五图系第四图中基片被圆圈区的详细图示。第六图系光强度对窄波带波谱线之波长的曲线图。第七图展示的是强度对宽波带光源的波长,指的是窄波带谱线。 |
