| 主权项 |
1.一种夹层轻掺杂汲极之制造方法,该夹层轻掺杂汲极之制造方法包括下列步骤:a.提供一矽基底;b.植入一第一型离子,以形成一反击穿层;c.形成一闸极;d.植入一第二型离子,以形成一轻掺杂汲极区;e.植入该第一型离子,于该轻掺杂汲极区表面上形成一薄反转层;f.形成一间隙壁;以及g.植入该第二型离子,于矽基底上形成一源/汲极区;其中该源/汲极区之该第二型离子浓度高于该反击穿层之该第一型离子浓度;以及该轻掺杂汲极区之该第二型离子浓度高于该薄反转层之该第一型离子浓度。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该矽基底系一P型井。3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中该第一型离子为一P型离子,该第二型离子为一N离子。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该矽基底系一N型井。5.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中该第一型离子为一N型离子,该第二型离子为一P离子。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该闸极系由在该矽基底上先形成一多晶矽层,再沈积一矽化金属层,加一光罩经由微影蚀刻步骤后,将该光罩除去后形成该闸极。7.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中该矽化金属层系由一矽化钨构成。8.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中该矽化金属层系由一矽化钛构成。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该间隙壁系由在该矽基底上形成一氮化矽层做蚀刻后,所依附在该闸极旁所形成。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该间隙壁系由在该矽基底上形成一二氧化矽层做蚀刻后,所依附在该闸极旁所形成。11.一种夹层轻掺杂汲极之制造方法,该夹层轻掺杂汲极之制造方法包括下列步骤:a.提供一矽基底;b.形成一闸极;c.植入一第二型离子,以形成一轻掺杂汲极区;d.植入一第一型离子,于该轻掺杂汲极区表面上形成一薄反转层;e.以斜角度植入该第一型离子,以在该轻掺杂汲极区旁形成一小型区;f.形成一间隙壁;以及g.植入该第二型离子,于该矽基底形成一源/汲极区;其中该源/汲极区之该第二型离子浓度高于该轻掺杂汲极区之该第二型离子浓度;该小型区之该第一型离子浓度高于该薄反转层之该第一型离子浓度。12.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该矽基底系一P型井。13.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中该第一型离子为一P型离子,该第二型离子为一N型离子。14.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该矽基底系一N型井。15.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中该第一型离子为一N型离子,该第二型离子为一P型离子。16.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该闸极系由在该矽基底上形成一多晶矽层,再沈积一矽化金属层,加一光罩经微影蚀刻步骤后,将该光罩除去后形成该闸极。17.如申请专利范围第16项所述之制造方法,其中该矽化金属层系由一矽化钨构成。18.如申请专利范围第16项所述之制造方法,其中该矽化金属层系由一矽化钛构成。19.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该间隙壁系由在该矽基底上形成一氮化矽层做蚀刻后,所依附在该闸极旁所形成。20.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该间隙壁系由在该矽基底上形成二氧化矽层做蚀刻后,所依附在该闸极旁所形成。图式简单说明:第一图a-第一图c绘示习知形成反击穿层及轻掺杂汲极制程剖面图。第二图a-第二图d绘示依照本发明使用夹层轻掺杂汲极之第一实施例。第三图a-第三图c绘示依照本发明使用夹层轻掺杂汲极之第二实施例。 |
