| 主权项 |
1.一种于导电层上改善微影图案制程之方法,该方法至少包含:形成一氮氧化矽层(oxynitride)于该导电层之上,作为第一底部抗反射层(BARC);形成一氮化矽层于该氮氧化矽层(oxynitride)上,作为第二底部抗反射层;形成一光阻层于该氮化矽层上;及曝光部份之该光阻层,曝光光源为波长小于440nm之电磁辐射。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氮氧化矽层(oxynitride)是以电浆增强式化学气相沈积法形成。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之导电层为一金属层。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之导电层为一复晶矽化金属(polycide)层。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氮化矽层之厚度为1000至3000埃。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氮氧化矽层(oxynitride)之厚度为150至1000埃。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氮氧化矽层(oxynitride)于曝光波长248nm下,具有折射率约为2.050.15,吸收系数约为0.550.1。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氮化矽层于曝光波长248nm下,具有折射率约为2.25,吸收系数约为0.0188。9.如申请专利范围1项之方法,其中上述之氮氧化矽层(oxynitride)于曝光波长365nm下,具有折射率约为2.50.5,吸收系数约为0.80.4。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氮化矽层于曝光波长365nm下,具有折射率约为2.05,吸收系数约为0.02。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之导电层系包含金属层或复晶矽化金属(polycide)。12.一种于导电层上改善微影图案制程之方法,该方法至少包含:形成一厚度约40nm之氮氧化矽层(oxynitride)于该导电层之上,作为第一底部抗反射层(BARC);形成一氮化矽层于该氮氧化矽层(oxynitride)上,作为第二底部抗反射层;形成一光阻层于该氮化矽层上;及曝光部份之该光阻层,曝光光源为波长约248nm之电磁辐射。13.一种于导电层上改善微影图案制程之方法,该方法至少包含:形成一厚度约50nm之氮氧化矽层(oxynitride)于该导电层之上,作为第一底部抗反射层(BARC);形成一氮化矽层于该氮氧化矽层(oxynitride)上,作为第二底部抗反射层;形成一光阻层于该氮化矽层上;及曝光部份之该光阻层,曝光光源为波长约为365nm之电磁辐射。图式简单说明:第一图a为本发明之形成双层(dual-layer)结构于含有金属或复晶矽化金属底材上之截面图;第一图b为描述本发明之底部抗反射层应用于DRAM制程之截面图;第二图a为传统方法中于曝光波长248nm下,底材反射率对氧化层厚度之数据图;第二图b为本发明中于曝光波长248nm下,底材反射率对氮氧化矽层厚度之数据图;第三图a为传统方法中于曝光波长365nm下,底材反射率对氧化层厚度之数据图;及第三图b为本发明中于曝光波长365nm下,底材反射率对氮氧化矽层厚度之数据图。 |
