监测剂量/聚焦/水平度的方法

摘要

一种监测剂量/聚焦/水平度的方法，在一控片上规划出若干个区块，取离晶片较近的五个区块做一般状态下的量测。以中间的区块作为剂量的监测区块，在区块上集中曝出数个小的曝光点，以达到足够的样品数量，并使涂布与显影不均匀对曝光剂量的影响达到最小。曝光条件选择在曝光剂量对应临界尺寸关系图中，曲线斜率变化较大之处，藉以监测聚焦与水平度。另外，在其他地方设有虚置区块，当机台状态有大改变时，则可以量测这些虚置区块。

主权项

1.一种监测剂量/聚焦/水平度的方法,包括下列步骤:提供一晶圆,包括有一第一区块与复数个第二区块,其中该第一区块上具有复数个曝光点;对该第一区块上之该些曝光点进行曝光能量之监测;以及对该些第二区块进行聚焦与水平度之监测。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该方法系在一扫描式电子显微镜中进行。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该晶圆更进一步的包括复数个第一虚置区块与复数个第二虚置区块。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中更进一步的在该晶圆上覆盖上一抗反射层。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该抗反射层为一有机抗反射层。6.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该抗反射层为一无机抗反射层。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中聚焦之监测范围约为-0.3-0.3m。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中聚焦变异超过0.3m时,系改对该些第二虚置区块进行监测。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中水平度之监测范围约在-15-15微弧度。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中当水平度聚焦变异超过15微弧度时,系改对该些第一虚置区块进行监测。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一区块选用一低曝光能量进行曝光。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二区块之曝光条件选择一高曝光剂量。13.一种监测剂量/聚焦/水平度的方法,系利用一扫描式电子显微镜进行,该方法包括下列步骤:提供一晶圆,包括有一第一区块、复数个第二区块、复数个第一虚置区块、与复数个第二虚置区块,其中该第一区块上具有复数个曝光点,其中该晶圆上覆盖有一抗反射层;对该第一区块上之该些曝光点施以一低曝光能量,并进行曝光能量之监测;以及对该些第二区块施以一高曝光能量,并进行聚焦与水平度之监测。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该抗反射层为一有机抗反射层。15.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该抗反射层为一无机抗反射层。16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中聚焦之监测范围约为-0.3-0.3m。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中聚焦变异超过0.3m时,系改对该些第二虚置区块进行监测。18.如申请专利范围第13项所述之方法,其中水平度之监测范围约在-15-15微弧度。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中当水平度聚焦变异超过15微弧度时,系改对该些第一虚置区块进行监测。图式简单说明:第一图A绘示依照本发明一较佳实施例,在晶圆上监测区块的分布配置图;第一图B绘示为第一图A第二区块的放大图;第二图绘示为曝光剂量对临界尺寸的关系图;第三图绘示为散焦曲线(Defocus Curve)对临界尺寸的关系图;第四图绘示为依照本发明的X轴水平度灵敏度的曲线图;第五图绘示为依照本发明的Y轴水平度灵敏度的曲线图;第六图绘示为依照本发明的水平度重复性的测试曲线;以及第七图绘示为依照本发明的聚焦重复性的测试曲线。