| 主权项 |
1. 一种制造液晶显示装置之方法,包含有:薄膜电晶体(TFT)阵列基底,具有藉由金属薄膜而形成于透明绝缘基底上之复数条扫描线,为了可利用绝缘薄膜分隔且以与扫描线交错之方式形成于扫描线之上或之下的复数条数据线,藉由半导体层而形成在扫描线和数据线各交叉点间之交换元件,和藉由透明导电薄膜形成且电气连接至交换元件之像素电极;对立基底,设有插入在TFT阵列和对立基底之间的液晶;以及其中因为采用分区式曝光法做为在TFT阵列基底布线之方法,所以在液晶显示装置之显示区内因分割成复数个投射量故相邻的曝光区中具有相互重叠区,且将投射量配置界定于曝光区中;其中愈接近特定投射区之部份接收愈多的特定投射量分配。2. 一种制造液晶显示装置之方法,包含有:薄膜电晶体(TFT)阵列基底,具有藉由金属薄膜而形成于透明绝缘基底上之复数条扫描线,为了可利用绝缘薄膜分隔且以与扫描线交错之方式形成于扫描线之上或之下的复数条数据线,藉由半导体层而形成在扫描线和数据线各交叉点间之交换元件,和藉由透明导电薄膜形成且电气连接至交换元件之像素电极;对立基底,设有插入在TFT阵列和对立基底之间的液晶;以及其中因为采用分区式曝光法做为在TFT阵列基底布线之方法,所以在液晶显示装置之显示区内因分割成复数个投射量故相邻的曝光区中具有相互重叠区;其中将投射量配置界定于具有四重重叠部份之曝光区中;其中愈接近特定投射区之部份易受愈多的特定投射量分配。3. 如申请专利范围第1项之方法,其中在重叠曝光区中,是以像素大小做为选择投射量之单位。4. 如申请专利范围第1项之方法,其中在重叠曝光区中,是利用乱数选择投射量。5. 如申请专利范围第1项之方法,其中在重叠曝光区中,是以其与位于其中一特定区和另一不同投射量区之间边缘之距离成正比之方式选择重叠曝光区内由特定投射量所占有的比率。6. 如申请专利范围第1项之方法,其中重叠曝光区所具有之宽度大于4mm。7. 如申请专利范围第1项之方法,其中在重叠曝光区中,与不同投射量相邻之投射量可具有1至5 um的重覆曝光区。8. 如申请专利范围第1项之方法,其中可将此方法当做布线方法应用在形成扫描线、形成半导体层、形成数据线和形成像素电极等任何一个步骤中。9. 如申请专利范围第1项之方法,其中可将此方法应用在形成扫描线、形成半导体层、形成数据线和形成像素电极之步骤中的复数个步骤,其中在上述应用步骤中,在重叠曝光区内使用相同的投射量配置。10.如申请专利范围第1项之方法,其中可将此方法应用在形成扫描线、形成半导体层、形成数据线和形成像素电极之步骤中的复数个步骤,其中在上述应用步骤中,在重叠曝光区内使用各自独立的投射量配置图。11.一种由制造液晶显示装置之方法所制造之液晶显示装置薄膜电晶体(TFT)包含有:(TFT)阵列基底,具有藉由金属薄膜而形成于透明绝缘基底上之复数条扫描线、为了可利用绝缘薄膜分隔且以与扫描线交错之方式形成于扫描线之上或之下的复数条数据线、藉由半导体层而形成在扫描线和数据线各交叉点间之交换元件,和藉由透明导电薄膜形成且电气连接至交换元件之像素电极;对立基底,设有插入在TFT阵列和对立基底之间的液晶;以及其中因为采用分区式曝光法做为在TFT阵列基底布线之方法,所以在液晶显示装置之显示区内因分割成复数个投射量故相邻的曝光区中具有相互重叠区,且将投射量配置界定于曝光区中;其中愈接近特定投射区之部份接收愈多的特定投射量分配。 |
