| 主权项 |
1.一种制造绝缘薄膜用烷氧基矽烷有机聚合物组成物,其特征系含(A)下式(1)-(5):Si(OR)4 (1)、R1Si(OR)3 (2)、R1R2Si(OR)2 (3)、R1R2R3SiOR (4)、及(RO)2Si-R4-Si(OR)3 (5)(式中,各R分别为独立之碳数1-6之直链或分枝之烷基,R1.R2及R3分别代表独立之氢原子或碳数1-6之1价烃基者,R4为碳数1-6之2价烃基者。)分别选自(1)四烷氧基矽烷、(2)三烷氧基矽烷、(3)二烷氧基矽烷、(4)单烷氧基矽烷、以及(5)三烷氧基矽烷2量体所组成群中至少1种之烷氧基矽烷,惟,至少一种选自该烷氧基矽烷(3)及(4)之烷氧基矽烷系与至少一种选自该烷氧基矽烷(1)、(2)及(5)之烷氧基矽烷相互组合予以使用;(B)对1重量份上述全量之烷氧基矽烷(A)水解、脱水缩合时所得生成而言为10-2-100重量份之至少一种有机聚合物,该有机聚合物系具有至少一种主要由以下脂肪族聚合物链所构成的主链,而该脂肪族聚合物链系选自具碳数2-12之含醚基重覆单位的脂肪族聚醚链,具碳数2-12之含酯基重覆单位之脂肪族聚酯链,具碳数2-12之含碳酸酯基重覆单位的脂肪族碳酸酯链,及具碳数2-12之含酐基重覆单位之脂肪族聚酐链所成群者;及(C)对该烷氧基矽烷(A)及该有机聚合物(B)而言为溶媒,该溶媒系含至少一种选自具醯胺结合键之有机溶媒及具酯结合键之有机溶媒所成群的有机溶媒其对于上述组成物(A)、(B)以及(C)的总含量而言为0.05重量%以上者。2.如申请专利范围第1项之组成物,其中该烷氧基矽烷(A)系至少1种该烷氧基矽烷(1),与至少选自该烷氧基矽烷(2)-(5)所成群之烷氧基矽烷的混合物。3.如申请专利范围第1项之组成物,其中,该烷氧基矽烷(A)系至少1种该三烷氧基矽烷(2)、或至少1种该三烷基矽烷(2)与至少一种选自该烷氧基矽烷(1)及(3)-(5)所成群之烷氧基矽烷的混合物。4.如申请专利范围第1项-第3项中任一项之组成物,其中该溶媒(C)系更含有至少一种1种醇。5.如申请专利范围第1项-第3项中任一项之组成物,其中更含有可做为为促进该烷氧基矽烷(A)之水解、脱水缩合反应之做为触媒发挥功能者。6.如申请专利范围第1项-第3项中任一项之组成物,其中该有机聚合物(B)为数平均分子量为200-100万,系由具有碳数2-12之含醚基重覆单位之聚亚烷基二醇所成之脂肪族聚醚者。7.如申请专利范围第1项-3项中任一项之组成物,其中该组成物中之该有机聚合物(B)含量为对1重量份全量之该烷氧基矽烷(A)被水解、脱水缩合后所得之生成物而言为0.1-10重量份。8.一种二氧化矽有机聚合物复合体薄膜,其特征为成形如申请专利范围1-7项中任一项所载之组成物后形成薄膜,使该薄膜中之该烷氧基矽烷(A)藉由水解、脱水缩合反应予以凝胶化后,再去除该薄膜中所残留之溶媒(C)之后所得。9.如申请专利范围第8项之二氧化矽有机聚合物复合体薄膜,其中该膜厚度为0.1-100m者。10.如申请专利范围第8或第9项之二氧化矽有机聚合物复合体薄膜,其中针对波长0.4-0.7m之可视光为透明者。11.一种多层配线结构体,其特征为包含复数之绝缘层及在其上所形成之配线,该绝缘层之至少1层由如申请专利范围第8-10中任一项之二氧化矽有机聚合物复合体薄膜所构成者。12.一种半导体元件,其特征为包含如申请专利范围第11项之多层配线结构体所成者。13.一种多孔质二氧化矽薄膜,其特征为自如申请专利范围第8项-第10项中任一项之二氧化矽有机聚合物复合体薄膜去除该有机聚合物所得者。14.如申请专利范围第13项之多孔性二氧化矽薄膜,其中该平均空孔径为1-500nm者。15.如申请专利范围第13项或第14项之多孔性二氧化矽薄膜,其中于450℃以下之温度下加热、烧该复合体薄膜,自该二氧化矽有机聚合物复合体薄膜中去除该有机聚合物者。16.如申请专利范围第13项或第14项之多孔性二氧化矽薄膜,其中藉由矽烷化剂被表面处理者。17.一种多层配线结构体,其特征为包含复数绝缘层及在其上形成之配线,该绝缘层之至少1层系由如申请专利范围第13-16中任项一之多孔性二氧化矽薄膜所构成者。18.一种半导体元件,其特征为包含如申请专利范围第17项之多层配线结构体所成者。 |
