| 主权项 |
1.一种晶圆表面平坦化的方法,适用于半导体装置制程,上述平坦化方法包括下列步骤:(a)将表面具有不平坦绝缘层之半导体晶圆固定于旋转平台上,且使该不平坦绝缘层朝上方置放;以及(b)于既定位置供给雷射光束,用以削去该绝缘层不平坦的部分,使该半导体晶圆具有平坦之绝缘层。2.如申请专利范围第1项所述之晶圆表面平坦化的方法,其中该雷射光束系由该绝缘层的侧壁方向供给,且其前进行方向与该半导体晶圆表面呈平行。3.如申请专利范围第1项所述之晶圆表面平坦化的方法,其中该绝缘层系TEOS之二氧化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之晶圆表面平坦化的方法,其中该绝缘层系硼磷矽玻璃层。5.如申请专利范围第1项所述之晶圆表面平坦化的方法,其中该绝缘层系旋涂玻璃层。6.如申请专利范围第1项所述之晶圆表面平坦化的方法,其中该绝缘层下方更包括复数个金属图案。7.如申请专利范围第1项所述之晶圆表面平坦化的方法,其中步骤(b)系在转动该旋转平台的情况下进行。8.如申请专利范围第7项所述之晶圆表面平坦化的方法,其中该旋转平台系藉由设置于下方之旋转轴的带动而进行转动。9.一种晶圆表面平坦化的方法,适用于半导体装置制程,上述平坦化方法包括下列步骤:(a)将表面具有复数个金属图案及不平坦绝缘层之半导体晶圆固定于旋转平台上,且使该不平坦绝缘层朝上方置放;以及(b)于既定位置供给与该晶圆表面的方向平行前进的雷射光束,用以削去该绝缘层不平坦的部分,且在转动上述旋转平台的情况下,使该半导体晶圆具有平坦之绝缘层。10.如申请专利范围第9项所述之晶圆表面平坦化的方法,其中该绝缘层系TEOS之二氧化矽层。11.如申请专利范围第9项所述之晶圆表面平坦化的方法,其中该绝缘层系硼磷矽玻璃层。12.如申请专利范围第9项所述之晶圆表面平坦化的方法,其中该绝缘层系旋涂玻璃层。13.如申请专利范围第9项所述之晶圆表面平坦化的方法,其中该雷射光束系由该绝缘层的侧壁方向供给。 |
