发明名称 | 星用辐射效应探测器 | ||
摘要 | 一种与星上数据采集系统配套使用,检测粒子辐射对CMOS集成电路影响的星用CMOS辐射效应探测器,能完成对电离辐射敏感的CC4007电路N沟管阈电压值检测。主要由测量控制电路、恒流源电路、电压输出接口电路和被测CMOS4007组成,采用星上数据采集系统给出的一路测量启动脉冲控制,按时序对两片4007中6个N沟管阈电压依次测量,输出模拟电压信号送至星上数据采集系统的模数转换器ADC0816。该探测器具有功耗低、可靠性高的特点。 | ||
申请公布号 | CN1262443A | 申请公布日期 | 2000.08.09 |
申请号 | CN99102022.7 | 申请日期 | 1999.02.02 |
申请人 | 中国科学院新疆物理研究所 | 发明人 | 范隆;任迪远;严荣良 |
分类号 | G01R31/303;H01L21/66 | 主分类号 | G01R31/303 |
代理机构 | 中国科学院新疆专利事务所 | 代理人 | 张莉 |
主权项 | 1、一种与星上数据采集系统配套使用,用于检测电离辐射对CMOS集成电路影响的星用CMOS辐射效应探测器,能完成对两片4007中6个N沟管阈电压检测,其特征在于,该机是由测量控制电路、恒流源电路、电压输出接口电路和被测CMOS 4007组成,其中测量控制电路、恒流源电路和电压输出接口电路分别与被测器件4007联接。 | ||
地址 | 830011新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号 |