动态随机存取存储器

摘要

一种在半导体基片上形成的存储单元,包括一个纵向沟道和一个晶体管,纵向沟道作为存储电容器,沟道中充有多晶硅填充料,晶体管的源极在沟道的侧壁中形成,晶体管的漏极在半导体基片中形成,晶体管的表面与半导体基片的顶部表面共用,晶体管的沟道区包括垂直部分和水平部分以及作为沟道上部分的多晶硅栅。制造工艺使作为存储节点的多晶硅填充部分和作为栅导体的多晶硅填充部分的顶部形成绝缘氧化层。

主权项

1.一种存储单元，用于在半导体基片中采用一个晶体管和一个存储电容器的那一种动态随机存取存储器，它包括：一个较深的沟道，其侧壁基本上垂直，侧壁的深部充有掺杂的多晶硅，通过介质层与半导体基片绝缘，用作存储单元的存储节点，多晶硅填充料顶部还有氧化层；和一个晶体管，包括一个漏区、一个源区、一个沟道区和一个掺杂硅栅导体，漏区为半导体基片的一部分，源区处在半导体基片中沿沟道较深部分的多晶硅填充料顶部的侧壁延伸，沟道区在源区与漏区之间沿半导体基片的顶部表面和具有垂直和水平部分的深沟道的侧壁延伸，掺杂硅栅导体充填沟道的上部分，并通过沟道较深部分中多晶硅填充料顶部形成的介质层和作为晶体管栅介质的一部分形成的介质层与沟道较深部分中的掺杂多晶硅电绝缘。