防止在晶片的边缘上形成黑硅的方法和装置

摘要

一种通过减少黑硅的沉积增加芯片成品率的方法包括以下步骤:提供适合于制造半导体芯片的硅晶片,在晶片的整个表面上淀积第一层,除去部分第一层露出适合形成半导体器件的区域,以及腐蚀晶片使第一层的其余部分防止在晶片上腐蚀材料的再沉积。一种减少黑硅淀积其上的半导体组件包括适合于制造半导体芯片的硅晶片,晶片具有形成半导体器件的正面、背面和边缘。淀积层形成在晶片上覆盖背面和边缘,防止腐蚀期间晶片的背面和边缘上硅的再沉积。

主权项

1.一种通过减少黑硅沉积增加芯片成品率的方法，包括以下步骤：提供适于制造半导体芯片的硅晶片；在晶片的整个表面上淀积第一层；除去部分第一层露出适用于形成半导体器件的区域；以及腐蚀晶片使第一层的其余部分阻止在晶片上腐蚀材料的再沉积。