具有掩埋异质结构类型的激光二极管

摘要

在BH－类型的半导体激光器中,包括由n－p－n－p或者n－SI－n－p序列膜层(5,9,11,3)构成的侧面电流阻挡结构,位于掩埋有源区的两侧。在第二n型掺杂膜层和第二p型掺杂膜层之间加入一个或多个薄膜层(13,15)。薄附加膜层(13,15)是p型掺杂的,并由高带隙和低带隙材料交替构成。这些薄膜层在中等至大电流强度下提供较大的正向电压降,从而很好地限制激光器中的电流,因而产生较高光输出功率,而且输出功率/电流特性偏离线性度的程度较小。

主权项

1.一种半导体激光器，包括由掩埋异质结构构成的有源区和侧面包围所述有源区的电流限制区，以及在高度方向或横向包围有源区的顶层和底层，所述电流限制区和顶层及底层一起形成用于限制电流的n-p-n-p或者n-SI-n-p结构，其特征在于至少一个薄膜层设置在结构中的第二n型掺杂膜层和第二p型掺杂膜层之间，用于限制电流，以便提高电流限制结构中的正向电压降，从而降低泄漏出有源区的电流。