| 发明名称 | 一种镍铝基合金单晶的制备技术 | ||
| 摘要 | 一种镍铝基合金单晶的制备技术，系采用定向生长的办法，包括母合金样品的制备，其特征在于：在距母合金样品底部２０—４０ｍｍ上加工出一１０～２０ｍｍ的缩颈，缩颈部分用陶瓷涂料多次填充和干燥而为选晶器后，整体放入陶瓷模壳中，在定向凝固炉中重熔并定向生长。本发明所提供的方法工艺简单，单晶成功率高且基本不需机械加工。 | ||
| 申请公布号 | CN1055142C | 申请公布日期 | 2000.08.02 |
| 申请号 | CN95110277.X | 申请日期 | 1995.06.07 |
| 申请人 | 中国科学院金属研究所 | 发明人 | 陈健;郑启;于洋;唐亚俊;胡壮麒 |
| 分类号 | C30B11/00;C30B29/52 | 主分类号 | C30B11/00 |
| 代理机构 | 中国科学院沈阳专利事务所 | 代理人 | 张晨 |
| 主权项 | 1.一种镍铝基合金单晶的制备技术，系采用定向生长的办法，包括母合金样品的制备，其特征在于：在距母合金样品底部20-40mm上加工出一10～20mm的缩颈，缩颈部分用陶瓷涂料多次填充和干燥而为选晶器后，整体放入陶瓷模壳中，在定向凝固炉中重熔并定向生长。 | ||
| 地址 | 110015辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 | ||