| 主权项 |
1.一种磊晶型高功率萧特基二极体之结构,包括:一N+基底;一第二金属层,位于该N+基底下;一P-磊晶,位于该N+基底上;一N-井,位于该P-磊晶中,且该N-井的底端接触该N+基底;一第一氧化层,位于部分该P-磊晶上;一金属矽化物层,位于部分该N-井上,与该N-井电性接触;以及一第一金属层,位于部分该氧化层和该金属矽化物层上。2.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该第二金属层包括铝。3.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该第一金属层包括铝。4.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该金属矽化物层包括矽化钛。5.一种磊晶型高功率萧特基二极体之制造方法,包括:提供一N+基底;形成一P-磊晶,在该N+基底上;形成一第一氧化层,在该P-磊晶上;以及蚀刻部分该第一氧化层,在该P-磊晶上,形成一开口。在该开口下和在该P-磊晶中形成一N-井,且该N-井底端接触该N+基底;形成一金属矽化物层,在部分该N-井上,该N-井与该金属矽化物层电性接触。形成一第一金属层,该金属矽化物和部分该第一氧化层上,且该第一金属层电性接触该金属矽化物层;以及形成一第二金属层,在该N+基底下。6.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中该第一金属层包括铝。7.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中该第二金属层包括铝。8.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中该金属矽化物层包括矽化钛。9.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中形成该N-井更包括井布植与离子驱入。10.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中形成该金属矽化物层之步骤包括:形成一金属钛层,在该第一氧化层和该N-井上方;以一快速热制程,实施金属矽化,形成该金属矽化物层;以及进行选择性蚀刻,移除未反应之该金属钛层。图式简单说明:第一图A-第一图F是习知一种高功率萧特基二极体之制造流程剖面示意图;以及第二图A-第二图D是本发明之一较佳实施例,一种高功率萧特基二极体之制造流程剖面示意图。 |
