| 摘要 |
本发明系关于一种检验晶圆第一层图形偏移之方法,尤指一种供做为检验晶圆第零层与第一层间之偏移量之方法,主要为在晶圆第零层位置上除了形成有整体对准标点(GLOBAL ALlGNMENT MARKS)之外,亦一并形成有母重叠检验图形(MOTHER OVERLAYINSPECTIONPATTERNS),而在晶圆之第一层图形则对应于该母重叠检验图形位置形成有子重叠检验图形(CHILDOVERLAYINSPECTIONPATTERNS),如此即可藉该分别位在第零层及第一层之母子重叠检验图形,达到精确检测出第一层是否对准之效果者。 |
| 主权项 |
1.一种检验晶圆第一层图形偏移之方法,包括:为在晶圆之第零层图形上除了形成有整体对准标点之外,更一并形成有基本重叠检验图案;为对准该整体对准标点之位置,在后续各层图形上定义形成有可与该基本重叠检验图案重叠之其他重叠检验图案;藉以有效地测知第一层图形是否与第零层图形对准及决定对准偏移量者。2.如申请专利范围第1项所述之检验晶圆第一层图形偏移之方法,其中该基本重叠检验图案可位在整体对准标点之邻近位置上者。3.如申请专利范围第1项所述之检验晶圆第一层图形偏移之方法,其中该各层重叠检验图案可为不同大小之块状或几何图形者。图式简单说明:第一图:系本发明之方法示意图。第二图:系传统各层对准示意图。第三图:系习知重叠测量法之示意图。 |
