| 主权项 |
1.一种制作一半导体晶片之闸极(Gate)间隙壁(Spacer)的方法,该闸极系凸出于该半导体晶片之表面,该半导体晶片的表面另包含有至少一个场氧化层(Field Oxide)设于该闸极之附近区域,用来做为电性隔离,该闸极之顶端系高于该场氧化层之顶端,该方法包含有下列步骤:于该半导体晶片表面形成一第一介电层,用来覆盖该闸极以及该场氧化层,其中该第一介电层覆盖于该闸极顶端之厚度系大于该第一介电层覆盖于该场氧化层顶端之厚度;于该半导体晶片表面形成一第二介电层覆盖该第一介电层之上,用来平坦化该半导体晶片的表面;对该半导体晶片表面进行一第一蚀刻(Etch)制程,用来去除该第二介电层至一预定深度,并同时降低该第一介电层于该闸极顶端之厚度;对该半导体晶片表面进行一第二蚀刻制程,以完全去除该第二介电层;以及对该半导体晶片表面之第一介电层进行一非等向性之第三蚀刻制程,以完全去除该闸极顶端上之第一介电层并于该闸极之周围侧壁(Side-Wall)形成该间隙壁。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中于进行该第一蚀刻制程时,该第一介电层于该闸极顶端之厚度至少会被降低至该第一介电层覆盖于该场氧化层顶端之厚度。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一介电层系由一无掺杂矽玻璃(Undoped Silicate Glass, 简称USG)所构成的。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二介电层系利用一液态之介电材料系以旋涂(Spin Coating)的方式均匀涂布于该半导体晶片表面。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该液态之介电材料系为液态之旋涂式玻璃(Spin-On Glass)。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一蚀刻制程系为一电浆蚀刻(Plasma Etch)制程。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二蚀刻制程系为一湿蚀刻(Wet Etching)制程。8.申请专利范围第7项所述之方法,其中该湿蚀刻制程所使用之蚀刻溶液包含有氢氧化钾(PotassiumHydroxide, KOH)或是氢氟酸(Hydrofluoric Acid,HF)。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该湿蚀刻制程所使用之蚀刻溶液为10:1的氧化矽缓冲蚀刻液(Buffered Oxide Etcher,BOE)。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第三蚀刻制程系为一包含有四氟化碳(Carbon Tetrachloride,CF|^4)、三氟甲烷(Carbon Trifluoride, CHF|^3)、氩气(Argon, Ar)、氢气或氧气之混合气体的乾蚀刻制程。 |
