| 主权项 |
1.一种适于高频电子装置之微电子封装,包含:一底座,具有一上部与一底部,至少部分该底座系导电性;一RF基体,具有第一空洞及沈积于该RF基体表面之复数个导电图案;第一连接装置,将该RF基体接至该底座之该上部;一具有一室之封闭盖,该室大于该第一空洞;第二连接装置,将该封闭盖接至该RF基体,该第二连接系非导电性;其中该底座当成单一接地平面使用,而该封闭盖与该单一接地平面系电气绝缘。2.根据申请专利范围第1项之微电子封装,其中底座包含一导电金属。3.根据申请专利范围第1项之微电子封装,其中底座包含一陶性材料而该底座之该上部系部分金属化。4.根据申请专利范围第1项之微电子封装,其中底座包含一聚合物材料而该底座之该上部系部分金属化。5.根据申请专利范围第1项之微电子封装,其中底座包含合金46。6.根据申请专利范围第1项之微电子封装,其中第一连接装置包含一金属焊接材料。7.根据申请专利范围第1项之微电子封装,其中第一连接装置包含一有机黏胶。8.根据申请专利范围第1项之微电子封装,其中第一连接装置包含一玻璃材料。9.根据申请专利范围第1项之微电子封装,其中RF基体具有一上表面及一底表面,该上表面接至封闭盖,而其中该复数个导电图案沈积于RF基体之该上表面。10.根据申请专利范围第9项之微电子封装,其中封闭盖之形成使得沈积于RF基体之该上表面之复数个导电图案部分暴露。11.根据申请专利范围第1项之微电子封装,其中封闭盖由陶性材料制成。12.根据申请专利范围第1项之微电子封装,其中封闭盖由塑胶材料制成。13.根据申请专利范围第1项之微电子封装,其中第一连接装置包含至少第一玻璃材料与第二玻璃材料,该第一玻璃材料施敷于RF基体,而该第二玻璃材料施敷于封闭盖。14.根据申请专利范围第1项之微电子封装,其中第二连接装置系一非导电性聚合物黏胶。15.根据申请专利范围第1项之微电子封装,其中RF基体由陶制成。16.根据申请专利范围第1项之微电子封装,其中RF基体由玻璃材料制成。17.根据申请专利范围第1项之微电子封装,其中RF基体由塑胶材料制成。18.根据申请专利范围第17项之微电子封装,其中该塑胶材料系填充式。19.根据申请专利范围第1项之微电子封装,更包含复数个导电引线,各该引线电气接至沈积于该RF基体表面之各该导电图案上,其中各该引线从该封装延伸出去以接至另一电气装置。20.一种组装一微电子封装之程序,以保持一积体电路,该封装具有一底座与一RF基体,各该底座与该RF基体具有一上表面与一下表面,该程序包含:于该RF基体之该上表面上形成一导电图案;于该RF基体中切出一空洞,该空洞系大于该积体电路;于该RF基体之该下表面上印刷一导电层;连接该底座之上表面至该RF基体之该下表面以形成一组装;及燃烧该组装。21.根据申请专利范围第20项之程序,其中连接该底座之该上表面至该RF基体之该下表面之步骤包含:交替施敷一黏性材料至该底座之该上表面,或至该RF基体之该下表面;及将该底座之该上表面与该RF基体之该下表面邻接。22.根据申请专利范围第21项之程序,其中从具有部分金属化之陶性材料中形成底座,而其中黏性材料包含熔在一起之第一封闭玻璃与第二封闭玻璃,该第一封闭玻璃系施敷于该底座之上部,而该第二封闭玻璃系施敷于该RF基体之底部。23.根据申请专利范围第21项之程序,其中黏性材料包含一有机黏胶。24.根据申请专利范围第20项之程序,其中形成一导电图案之步骤包含于该RF基体之该上表面上幕印刷一导电胶。25.根据申请专利范围第24项之程序,其中印刷一定图案之步骤更包含:于该导电图案之选取部分上形成光阻之保护罩幕;及蚀刻以去除该导电图案之未选取部分。26.根据申请专利范围第20项之程序,更包含用一非导电封闭装置将封闭盖接至该RF基体之该上表面。27.根据申请专利范围第26项之程序,该非导电封闭装置包含印刷之环氧树脂。28.一种适于高频电子装置之微电子封装,包含:一底座,具有一上部与一底部,至少部分该底座系电气导电性,其中该底座当成单一接地平面使用;一第一黏性层,形成于该底座之该上表面;一RF基体,该RF基体具有一上表面,一下表面,一外围,与一第一空洞,其在该上表面与该下表面之间延伸,其中该第一黏性层使该RF基体之该下表面顶靠着该底座之该上表面;沈积于该RF基体之上表面之复数个导电图案,各该导电图案从该第一空洞建立一电气通路至该RF基体之该外围;形成于该RF基体之该上表面之第二黏性层,该第二黏性层系非导电;及具有一室之封闭盖,该封闭盖之大小可包围该RF基体之该第一空洞,而其中该第二黏性层使该封闭盖封闭顶靠着该RF基体之该上表面,该封闭盖与该单一接地平面系电气绝缘。29.根据申请专利范围第28项之微电子封装,更包含复数个导电引线,各该引线电气接至沈积于该RF基体之该上表面之各该导电图案上,其中各该引线从该封装延伸出去以接至另一电气装置。图式简单说明:第一图是根据本发明之陶微电子封装之示意图;第二图A是本发明封装之上视图,其中盖已移开;第二图B是本发明封装的盖移开后,沿着第二图A线2B-2B的剖视图;第三图是形成于微电子封装中的空洞示意图,其中电磁波在z-方向传播;第四图是空的长方形波导中LSM11,与TE10模式截止频率图形;第五图是频率的电气传送损失图形;第六图是频率的反射损失图形;第七图是根据本发明第一替代具体实例之微波电子封装的示意图,其包括一封闭盖;第八图A是本发明第一替代具体实例的封装的上视图,其中封闭盖已装上;第八图B是第一替代具体实例的封装沿着第八图A的线8B-8B的剖视图,其中封闭盖已装上;及第九图是根据本发明第二替代具体实例的微波电子封装的示意图,其包括从封装向外延伸之引线。 |
