NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY,申请号KR19910020946-传众专利搜索

发明名称	NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
摘要
申请公布号	KR100262393(B1)	申请公布日期	2000.08.01
申请号	KR19910020946	申请日期	1991.11.22
申请人	SONY CORPORATION	发明人	NODA, MASANORI
分类号	H01L21/8247;G11C16/04;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):G11C16/00	主分类号	H01L21/8247
代理机构		代理人
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