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<P>Un procédé d'implantation d'un dispositif à semiconducteurs comprend l'agencement de régions actives d'une pluralité de transistors comportant au moins plus d'une première et deuxième électrodes disposées sur un substrat, l'agencement d'une pluralité de grilles de transistors entre plus d'une première et deuxième électrodes de ces régions actives, respectivement, en positionnant au moins plus d'une grille ayant une largeur et une longueur prédéterminées à un espacement constant sur le substrat, et l'agencement d'une pluralité de grilles factices (DG1, DG2, DG3, DG4, DG5, DG6) ayant une largeur et une longueur prédéterminées entre une pluralité de transistors, ou entre les transistors et à l'extérieur de ceux-ci, avec un espacement identique à celui des grilles des transistors sur le substrat, de telle sorte que toutes les grilles des transistors soient agencées à un espacement constant.</P> |
