PROCEDE DE FORMATION DE COUCHE D'OXYDE DE SILICIUM ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR EN COUCHE MINCE ASSOCIE

摘要

Le procédé de formation d'une couche d'oxyde de silicium selon l'invention propose de fournir un dispositif de CVD au plasma à deux fréquences d'excitation avec une électrode à haute fréquence, une contre-électrode et deux boites d'adaptation d'impédance entre les électrodes et les sources de puissance; une électrode latérale d'un condensateur de réglage d'un boîtier d'adaptation vers l'électrode à haute fréquence est constitué par l'électrode à haute fréquence elle-même.On place un substrat sur la contre-électrode et on applique une puissance électrique à haute fréquence sur l'électrode à haute fréquence et sur la contre-électrode et on forme une couche d'oxyde de silicium sur le substrat en générant un plasma en utilisant un gaz de réaction dont les gaz de réaction principaux sont un mélange de monosilane et d'oxyde nitreux.